[發明專利]用于液晶顯示器件的陣列基板及其制造方法

有效

• 申請號: 200610161880.6
• 申請日: 2006-12-05
• 公開（公告）號: CN101093325A
• 公開（公告）日: 2007-12-26
• 發明（設計）人: 崔洛奉;姜鎬哲;金大元
• 申請（專利權）人: LG.菲利浦LCD株式會社
• 主分類號: G02F1/136
• 分類號: G02F1/136;G02F1/133;H01L21/00
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司
• 代理人: 徐金國;祁建國

本申請要求享有2006年6月19日遞交的韓國專利申請第2006-0055089號的權益，在此該引入其全部內容作為參考。

技術領域

本發明涉及一種用于液晶顯示器件的陣列基板及其制造方法，尤其涉及一種具有由有機半導體材料構成的半導體層的陣列基板。

背景技術

通常，液晶顯示器件(LCD)包括第一基板、第二基板和液晶層。第一和第二基板彼此相對并間隔一定距離。在該兩者之間插入液晶層。LCD器件利用液晶分子的光學各向異性和偏振特性顯示圖像。

由于液晶分子的細長形狀使其具有定向排列特性。因此，可以通過對液晶分子施加電場來控制液晶分子的排列方向。具體地，包括作為開關元件的薄膜晶體管(TFT)的LCD器件，以下將其稱為有源矩陣LCD(AM-LCD)器件具有極好的高分辨率和顯示運動圖像的特性。

圖1所示為傳統LCD器件的分解透視圖。如圖1中所示，該LCD器件包括第一基板12和第二基板22，以及液晶層30。第一基板12和第二基板22彼此相對，液晶層30設置于兩者之間。該第一基板12包括柵線14、數據線16、薄膜晶體管“T”，以及像素電極18等。柵線14和數據線16彼此交叉使得將柵線14和數據線16之間形成的區域限定為像素區域“P”，在柵線14和數據線16之間的交叉部分處形成TFT“T”，并在像素區域“P”中形成像素電極18，該像素電極18與TFT“T”連接。

第二基板22包括黑矩陣25、濾色片層26和公共電極28。黑矩陣25具有格子形狀以覆蓋第一基板12的非顯示區域，諸如柵線14、數據線16和TFT“T”等。濾色片層26包括第一、第二和第三子濾色片26a、26b和26c。每個子濾色片26a、26b和26c具有紅、綠和藍色“R”、“G”和“B”其中之一并且每個子濾色片對應于每個像素區域“P”。在黑矩陣25和濾色片26上形成公共電極28，該公共電極28覆蓋在第二基板22的整個表面上。如上所述，通過位于像素電極18和公共電極28之間的電場控制液晶分子的排列從而改變透光量。從而，LCD器件顯示圖像。

盡管圖1中未示出，為了防止液晶層30漏光，可以沿第一基板1?2和第二基板22的邊緣形成密封圖案。在第一基板12和液晶層30之間以及在第二基板22和液晶層30之間可以形成第一和第二定向層。可以在第一基板12和第二基板22的至少外表面上形成偏振器。

而且，LCD器件包括位于第一基板12的外表面上的背光組件以向液晶層30提供光。這樣，在第一基板12和背光組件之間可以形成偏振器。光經過第一基板12、液晶層30、第二基板22等從而使得LCD器件顯示圖像。

通常，采用玻璃板作為第一基板12和第二基板22。但是，由于柔性板和玻璃板相比更輕而且更靈活，因此近來采用諸如塑料板的柔性板作為第一基板12和第二基板22。但該方案仍存在一定的問題，由于在高于約200℃的溫度下執行陣列基板制造工藝，因此很難用柔性板替代玻璃板。當在低于約200℃的溫度由非晶硅層和多晶硅層其中之一形成半導體層時，TFT的特性會變差。為了解決上述問題，提出了一種在低于約200℃的溫度下通過在柔性基板上形成由有機半導體材料構成的TFT的陣列基板的制造方法。

可以通過低溫沉積和涂敷在柔性基板上形成電極金屬材料、絕緣材料和鈍化材料。上述方法不會影響TFT的特性。但是，當在低于約200℃的溫度下由非晶硅層形成半導體層時，在導電率等方面會存在問題。為了克服這些問題，采用有機半導體材料替代非晶硅材料形成半導體層。

圖2所示為根據現有技術LCD器件的陣列基板的截面圖。在基板51上形成源極55、漏極57、數據線(未示出)、像素電極60、有機半導體層63和柵絕緣層67。第一基板由塑料板和玻璃板其中之一形成。通過沉積以及構圖金屬層(未示出)在基板51上形成源極55、漏極57和數據線。源極55、漏極57彼此分離。該金屬層可以包括具有高功函數的金(Au)。該源極55延伸自數據線。

在源極55、漏極57上沉積透明導電層(未示出)。構圖透明導電層從而在基板51上形成像素電極60。該像素電極60與漏極57連接。

利用遮光板(未示出)由有機半導體材料層(未示出)構成有機半導體層63。通過沉積和涂敷有機半導體層其中之一步驟形成有機半導體層。有機半導體層63與源極55和漏極57接觸。在半導體層63和像素電極60上形成柵絕緣層67。