[發明專利]閃存的寫入電路與其寫入方法

有效

• 申請號: 200610161140.2
• 申請日: 2006-12-07
• 公開（公告）號: CN101197192A
• 公開（公告）日: 2008-06-11
• 發明（設計）人: 許哲豪
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/30
• 分類號: G11C16/30;G05F3/26;G11C16/04;G11C16/12
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 湯保平

1.一種閃存的寫入電路，適用于進行一存儲元件的寫入動作，其特征在于，該寫入電路包括：

一寫入單元，用以輸出一寫入電流與一參考電壓；以及

一偵測單元，耦接于該寫入單元與該存儲元件之間，用以導通該寫入電流至該存儲元件，并偵測該存儲元件的一寫入電壓；

其中，在進行該存儲元件的寫入時，該存儲元件的控制端接收一字元線電壓，該字元線電壓為定值，該寫入單元經由該偵測單元，輸出定值的該寫入電流至該存儲元件，以調整該存儲元件的門檻電壓，該存儲元件的寫入端輸出該寫入電壓，當該存儲元件的該寫入電壓對應于該參考電壓時，則該偵測單元停止導通該寫入電流至該存儲元件。

2.如權利要求1項所述的閃存的寫入電路，其特征在于，其中該寫入單元包括：

一電流鏡，用以輸出該寫入電流。

3.如權利要求2項所述的閃存的寫入電路，其特征在于，其中該電流鏡包括：

一第一P型晶體管，耦接于一工作電壓與一電流源之間；以及

一第二P型晶體管，耦接于該工作電壓與該偵測單元之間，該第一P型晶體管的柵極耦接于該第二P型晶體管的柵極，該第一P型晶體管的柵極亦耦接于該第一P型晶體管與該電流源的共享節點；

其中，該第二P型晶體管根據該電流源，輸出相對應的該寫入電流，該第一P型晶體管與該電流源的共享節點輸出該參考電壓。

4.如權利要求3項所述的閃存的寫入電路，其特征在于，其中該偵測單元包括：

一第一N型晶體管，該第一N型晶體管與一第N型晶體管耦接于該第二P型晶體管與該存儲元件之間，且該第一N型晶體管的柵極耦接于一箝制電壓；以及

一比較器，該比較器的一正輸入端耦接于該第一P型晶體管與該電流源的共享節點，該比較器的一負輸入端耦接至該第一N型晶體管與該第一P型晶體管的共享節點，并輸出一控制電壓至該第二N型晶體管的柵極。

5.如權利要求4項所述的閃存的寫入電路，其特征在于，其中在進行該存儲元件的寫入時，該箝制電壓致能。

6.如權利要求1項所述的閃存的寫入電路，其特征在于，其中該偵測單元包括：

一第一N型晶體管，該第一N型晶體管的一端耦接于該寫入單元，該第一N型晶體管與該寫入單元的共享節點輸出一比較電壓，且該第一N型晶體管的柵極耦接于一箝制電壓；

一第二N型晶體管，耦接于第一N型晶體管與該存儲元件之間，以及

一比較器，該比較器的一正輸入端耦接于該參考電壓，該比較器的一負輸入端耦接于該比較電壓，該比較器的輸出端耦接至該第二N型晶體管的柵極；

其中，該寫入單元經由該第一N型晶體管與該第二N型晶體管輸出該寫入電流至該存儲單元，并使該比較電壓對應于該寫入電壓，該比較器根據該比較電壓與該參考電壓，輸出一控制電壓至該第二N型晶體管，當該比較電壓低于該參考電壓時，該比較器關閉該第二N型晶體管。

7.如權利要求6項所述的閃存的寫入電路，其特征在于，其中在進行該存儲元件的寫入時，該箝制電壓致能。

8.如權利要求1項所述的閃存的寫入電路，其特征在于，其中該存儲元件包括浮柵存儲器，該浮柵存儲器的漏極端耦接于該偵測單元，并輸出該寫入電壓，該浮柵存儲器的源極端耦接至一接地端，該浮柵存儲器的控制柵極耦接于一字元線，并接收該字元線電壓，該浮柵存儲器的漏極為該存儲元件的寫入端，該浮柵存儲器的控制柵極為該存儲元件的控制端。

9.一種閃存的寫入電路，適用于進行一存儲器陣列的寫入動作，該存儲器陣列包括多個存儲元件，其特征在于，該寫入電路包括：

一寫入單元，用以輸出一寫入電流與一參考電壓；

一偵測單元，耦接于該寫入單元，用以導通該寫入電流至該些存儲元件其中的一第一存儲元件，并偵測該第一存儲元件的一寫入電壓；以及

多個開關，耦接于該偵測單元與該些存儲元件之間，用以選擇該第一存儲元件；

其中，在進行該第一存儲元件的寫入時，該第一存儲元件的一字元線電壓為定值，該寫入單元經由該偵測單元，輸出定值的該寫入電流至該第一存儲元件，以調整該第一存儲元件的門檻電壓，該第一存儲元件的寫入端輸出該寫入電壓，當該第一存儲元件的該寫入電壓對應于該參考電壓時，則該偵測單元停止導通該寫入電流至該第一存儲元件。