[發明專利]用于液晶顯示器件的陣列基板及其制造方法

無效

• 申請號: 200610160986.4
• 申請日: 2006-12-11
• 公開（公告）號: CN101097368A
• 公開（公告）日: 2008-01-02
• 發明（設計）人: 權起瑩;黃光熙
• 申請（專利權）人: LG.菲利浦LCD株式會社
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/133;H01L21/00
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司
• 代理人: 徐金國;祁建國

本申請要求享有2006年6月27日在韓國遞交的韓國專利申請第10-2006-058231號的權益，在此引用其全部作為參考。

技術領域

本發明涉及一種液晶顯示(LCD)器件，尤其是涉及一種用于具有高孔徑比的LCD器件的陣列基板及其制造方法。

背景技術

一般地，LCD器件利用液晶分子的光學各向異性和極性特性而顯示圖像。細長形狀的液晶分子具有方向性。液晶分子的排列方向可通過對液晶分子施加電場來控制。隨著電場強度的改變，液晶分子的排列相應改變。由于通過液晶的入射光的折射取決于液晶分子的取向，因此可通過控制入射光的強度而顯示圖像。

另外，LCD器件包括具有濾色片和公共電極的濾色片基板，具有像素電極的陣列基板，在該濾色片基板和陣列基板之間的液晶層。由于LCD器件利用公共電極和像素電極之間產生的垂直電場進行驅動，所以LCD器件具有高透光率和較高孔徑比。

一般地，像素電極和公共電極構成液晶電容。存儲電容與液晶電容相連接從而施加在液晶電容上的電壓可維持至下一信號施加到液晶電容。存儲電容可以兩種方式形成。第一，存儲電容可為存儲-公共(storage-on-common)類型，其中存儲電容的電容電極其中之一與施加有公共電壓的公共線相連接。第二，其可為存儲-柵(storage-on-gate)類型，其中將第(n-1)條柵線的一部分用于作為第n條柵線的存儲電容的電容電極的其中之一。

在存儲-柵類型中，由于利用柵電壓的低電平電壓作為存儲電容電壓，因此不需要附加的公共線。然而，由于柵信號的耦合，存在包括干擾的問題。另一方面，在存儲-公共類型中，柵信號中不存在干擾。而且，具有可獲得充足的存儲電容的優勢。然而，由于漏光使孔徑比降低。

有源矩陣LCD(AM-LCD)器件被普遍使用。AM-LCD器件具有設置為矩陣形式的薄膜晶體管(TFT)和與TFT相連接的像素電極。由于在顯示運動圖像中具有高分辨率和優越性，已研發了AM-LCD器件。

圖1為現有技術的用于有源矩陣液晶器件的存儲公共類型陣列基板的平面示意圖。在圖1中，多條柵線20沿第一方向形成在基板10上。多條數據線30沿與第一方向交叉的第二方向形成以限定多個像素區域“P”。

薄膜晶體管“T”形成在各條柵線20和各條數據線30的交叉處。在各像素區域“P”中像素電極60與薄膜晶體管“T”連接。另外，多條公共線40沿第一方向并平行于柵線20形成。公共線40通過像素區域“P”。

圖2為圖1的區域“II”的透視圖。在圖2中，柵極24與柵線20相連接。源極26與數據線30相連接。漏極28與源極26分隔開。這里，源極26和漏極28參照二者之間的柵極24具有間隔。另外，具有島狀的半導體層32設置在柵極24上方。柵極24、半導體層32、源極26和漏極28構成薄膜晶體背“T”。鈍化層(未示出)形成在薄膜晶體管“T”上并且漏接觸孔57形成在該鈍化層中。像素電極60經由漏接觸孔57與漏極28電連接。

這里，像素電極60和公共線40的交疊區域構成存儲電容“Cst”。與像素電極60交疊的公共線40的一部分作為第一電容電極。與公共線40交疊的像素電極60的一部分作為第二電容電極。因此，第一電容電極、第二電容電極以及第一電容電極和第二電容電極之間的絕緣層(未示出)構成存儲電容“Cst”。

這里，像素區域“P”中像素電極60的尺寸與孔徑比成比例。然而，在存儲公共類型中，公共線40與像素區域“P”中的像素電極60交疊。因此，存儲-公共類型電容“Cst”的孔徑比降低。

圖3A到圖3C為沿著圖2的“III-III”線提取的描述現有技術制造用于LCD器件的陣列基板的方法的截面示意圖。在圖3A中，柵極24和公共線40形成在基板10上。柵絕緣層45形成在柵極24和公共線40上。

在圖3B中，通過在柵絕緣層45上依次形成有源層32a和歐姆接觸層32b形成半導體層32。彼此間隔的源極26和漏極28形成在半導體層32上。在該步驟中，去除源極26和漏極28之間的歐姆接觸層32b的一部分以暴露對應于該歐姆接觸層32b的一部分的有源層32a的一部分。被暴露的有源層32a的一部分定義為溝道“ch”。柵極24、半導體層32、源極26和漏極28構成薄膜晶體管“T”。