[發明專利]圖案化的方法

無效

• 申請號: 200610160394.2
• 申請日: 2006-11-15
• 公開（公告）號: CN101188188A
• 公開（公告）日: 2008-05-28
• 發明（設計）人: 陳薏新;王明俊;廖俊雄;楊閔杰
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/311;H01L21/28;H01L21/76;H01L21/762;H01L21/768
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種圖案化的方法，包括：

在材料層上依序形成底層、多硅有機層與光致抗蝕劑層；

圖案化該光致抗蝕劑層；

以該光致抗蝕劑層為掩模，圖案化該多硅有機層；

以該光致抗蝕劑層與該多硅有機層為掩模，進行蝕刻工藝，圖案化該底層，該蝕刻工藝所使用的反應氣體包括保護氣體、蝕刻氣體以及載氣；

以該多硅有機層與該底層為掩模，圖案化該材料層，以形成開口；以及

移除該底層。

2.如權利要求1所述的圖案化的方法，其中該保護氣體包括SO₂或SiCl₄。

3.如權利要求2所述的圖案化的方法，其中該保護氣體為SO₂，且SO₂含量為反應氣體總量的30％至60％。

4.如權利要求2所述的圖案化的方法，其中該保護氣體為SiCl₄，且SiCl₄含量為反應氣體總量的0.5％至2％。

5.如權利要求1所述的圖案化的方法，其中該蝕刻氣體是選自于O₂、NF₃與氟烴組合所組成的族群。

6.如權利要求1所述的圖案化的方法，其中該氟烴選自于CF₄、CHF₃、CH₂F₂、CH₃F及其組合所組成的族群。

7.如權利要求1所述的圖案化的方法，其中該載氣選自于He、Ar、N₂及其組合所組成的族群。

8.如權利要求1所述的圖案化的方法，其中該保護氣體的含量為反應氣體總量的0.5％至60％。

9.如權利要求1所述的圖案化的方法，其中該多硅有機層的材質包括硅含量為5-30wt.％的有機硅聚合物。

10.如權利要求1所述的圖案化的方法，其中在圖案化該光致抗蝕劑層之后，圖案化該多硅有機層之前，還包括修整步驟，以改變該光致抗蝕劑層的圖案。

11.如權利要求1所述的圖案化的方法，其中該底層包括清漆樹脂。

12.如權利要求1所述的圖案化的方法，其中該底層包括I-線光致抗蝕劑層。

13.如權利要求1所述的圖案化的方法，其中圖案化該光致抗蝕劑層的方法包括以浸潤式光刻工藝進行曝光，且該光致抗蝕劑層為防水光致抗蝕劑層，或是頂面覆蓋防水層的光致抗蝕劑材料層。

14.一種使用如權利要求1所述的圖案化的方法來形成接觸窗開口、介層窗開口及/或溝渠的方法，其中該材料層為介電層，該開口為接觸窗開口、介層窗開口及/或溝渠。

15.一種使用如權利要求1所述的圖案化的方法來形成柵極結構的方法，其中該材料層由下而上依序包括柵介電層、柵導電層與掩模層，且該開口為柵極結構之間的間隙。

16.一種使用如權利要求1所述的圖案化的方法來形成淺溝渠隔離結構的方法，其中該材料層由下而上包括基底與掩模層，該開口為溝渠，且還包括以下步驟：

在該溝渠中形成絕緣層；以及

移除該掩模層。