[發明專利]分離柵極快閃存儲器的制造方法

無效

• 申請號: 200610159884.0
• 申請日: 2006-11-02
• 公開（公告）號: CN101174593A
• 公開（公告）日: 2008-05-07
• 發明（設計）人: 王進忠;魏鴻基
• 申請（專利權）人: 力晶半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種分離柵極快閃存儲器的制造方法，包括：

提供一基底，包括一存儲單元、一高壓電路區及一低壓電路區，且該基底中已形成有多個隔離結構；

于該高壓電路區中的該基底上形成一第一氧化層；

于該低壓電路區中的該基底上形成一第二氧化層；

于高壓電路區中的該第一氧化層與該低壓電路區中的該第二氧化層上形成一第一導體層；

于該存儲單元中的該基底上形成一穿隧氧化層；

于該存儲單元中的該穿隧介電層上形成多個堆疊柵極結構；

于存儲單元中的該基底上形成共形的一第三氧化層；

于該存儲單元中的該第三氧化層上形成一第二導體層；

移除該存儲單元中的部份該第二導體層；以及

圖案化該第一導體層，以于該高壓電路區中形成多個高壓元件的柵極，且于該低壓電路區中形成多個低壓元件的柵極。

2.如權利要求1所述的分離柵極快閃存儲器的制造方法，其中該些堆疊柵極結構包括從穿隧介電層開始依序為一第一柵極、一柵間介電層、一第二柵極、一頂蓋層。

3.如權利要求2所述的分離柵極快閃存儲器的制造方法，其中該些堆疊柵極結構更包括一間隙壁，位于該頂蓋層與該第二柵極兩側，且位于該柵間介電層上。

4.如權利要求2所述的分離柵極快閃存儲器的制造方法，其中該第一柵極的材料包括摻雜多晶硅。

5.如權利要求2所述的分離柵極快閃存儲器的制造方法，其中該柵間介電層的材料包括氧化硅或氧化硅/氮化硅/氧化硅。

6.如權利要求2所述的分離柵極快閃存儲器的制造方法，其中該第二柵極的材料為摻雜多晶硅或多晶硅化金屬。

7.如權利要求2所述的分離柵極快閃存儲器的制造方法，其中該頂蓋層的材料包括氮化硅。

8.如權利要求1所述的分離柵極快閃存儲器的制造方法，其中于該高壓電路區中的該基底上形成該第一氧化層的方法包括：

于該基底上形成該第一氧化層；

于該高壓電路區中的該第一氧化層上形成一第一圖案化掩模層；

移除未被該第一圖案化掩模層覆蓋住的該第一氧化層；以及

移除該第一圖案化掩模層。

9.如權利要求1所述的分離柵極快閃存儲器的制造方法，其中該第一導體層的形成方法包括：

于該基底上形成一第一導體材料層；

于該高壓電路區及該低壓電路區中的該導體材料層上形成一第二圖案化掩模層；

移除未被該第二圖案化掩模層覆蓋住的該第一導體材料層；以及

移除該第二圖案化掩模層。

10.如權利要求1所述的分離柵極快閃存儲器的制造方法，其中該存儲單元中的部份該第二導體層的移除方法包括回蝕刻法。

11.一種分離柵極快閃存儲器的制造方法，包括：

提供一基底，包括一存儲單元、一高壓電路區及一低壓電路區；

于該基底上形成一第一氧化層；

于該基底中形成多個隔離結構；

移除該存儲單元與該低壓電路區中的該第一氧化層；

于該低壓電路區中的該基底上形成一第二氧化層；

于高壓電路區中的該第一氧化層與該低壓電路區中的該第二氧化層上形成一第一導體層；

于該存儲單元中的該基底上形成一穿隧氧化層；

于該存儲單元中的該穿隧介電層上形成多個堆疊柵極結構；

于存儲單元中的該基底上形成共形的一第三氧化層；

于該存儲單元中的該第三氧化層上形成一第二導體層；

移除該存儲單元中的部份該第二導體層；以及

圖案化該第一導體層，以于該高壓電路區中形成多個高壓元件的柵極，且于該低壓電路區中形成多個低壓元件的柵極。

12.如權利要求11所述的分離柵極快閃存儲器的制造方法，其中該些堆疊柵極結構包括從穿隧介電層開始依序為一第一柵極、一柵間介電層、一第二柵極、一頂蓋層。

13.如權利要求12所述的分離柵極快閃存儲器的制造方法，其中該些堆疊柵極結構更包括一間隙壁，位于該頂蓋層與該第二柵極兩側，且位于該柵間介電層上。

14.如權利要求12所述的分離柵極快閃存儲器的制造方法，其中該第一柵極的材料包括摻雜多晶硅。