[發明專利]在下電極上具有緩沖層的可變電阻存儲器件有效
| 申請號： | 200610159882.1 | 申請日： | 2006-11-02 |
| 公開（公告）號： | CN101068038A | 公開（公告）日： | 2007-11-07 |
| 發明（設計）人： | 埃爾·M·布里姆;李殷洪;趙重來 | 申請（專利權）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人： | 張波 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 在下 電極 具有 緩沖 可變 電阻 存儲 器件 | ||
【權利要求書】：
1.一種包括可變電阻材料的非易失性存儲器件，該存儲器件包括：
下電極；
形成在該下電極上的緩沖層；
形成在該緩沖層上的氧化物層，該氧化物層具有可變電阻特性；以及
形成在該氧化物層上的上電極，
其中該緩沖層由Ru氧化物、Ir氧化物、Cu氧化物、Mn氧化物或Ta氧化物構成，
并且其中該氧化物層由Ni氧化物或Cu氧化物構成。
2.根據權利要求1的可變電阻存儲器件，其中該緩沖層的功函數高于該下電極的功函數。
3.根據權利要求1的可變電阻存儲器件，其中該上電極的功函數高于該氧化物層的功函數。
4.根據權利要求1的可變電阻存儲器件，其中該下電極由具有低于5.0eV的功函數的材料構成。
5.根據權利要求4的可變電阻存儲器件，其中該下電極由W、Ta、Cu、Hf、Mo、Sr、Ag、In或Cr構成。
6.根據權利要求1的可變電阻存儲器件，其中該緩沖層由具有高于5.0eV的功函數的材料構成。
7.根據權利要求1的可變電阻存儲器件，其中該氧化物層由具有可變電阻特性的p型過渡金屬氧化物構成。
8.根據權利要求1的可變電阻存儲器件，其中該上電極由選自Ru、Rh、Co、Pd、Ni、Re、Pt、Ru-Ta合金、Pt-Hf合金、Pt-Ti合金、Co-Ni合金或Ni-Ta合金的材料，或者這些材料的合金構成。
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