[發明專利]薄膜晶體管及其制造方法

無效

• 申請號: 200610159865.8
• 申請日: 2006-10-30
• 公開（公告）號: CN101174650A
• 公開（公告）日: 2008-05-07
• 發明（設計）人: 楊其燃;張秀郁;李育舟;吳英明
• 申請（專利權）人: 中華映管股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 陳亮

1.一種薄膜晶體管，包括：

一基板；

一第一緩沖層，配置該基板上，該第一緩沖層為一硅化物；

一柵極，覆蓋該第一緩沖層的一部分，該柵極包括：

一第一鋁金屬層；

一第一保護層，配置于該第一鋁金屬層上；

一柵絕緣層，覆蓋該柵極；

一溝道層，配置于該柵極上方的部分該柵絕緣層上；以及

一源極及一漏極，配置于該溝道層上并互相分隔，該源極及該漏極包括：

一第二緩沖層；

一第二鋁金屬層，配置于該第二緩沖層上；以及

一第二保護層，配置于該第二鋁金屬層上。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，該硅化物包括氧化硅或氮化硅。

3.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，該第一緩沖層的厚度為100埃至500埃。

4.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，該第二緩沖層包括鉬或鉬鈮合金。

5.如權利要求4所述的薄膜晶體管，其特征在于，該第二緩沖層的厚度為100埃至1000埃。

6.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，該第一保護層包括鉬或鉬鈮合金。

7.如權利要求6所述的薄膜晶體管，其特征在于，該第一保護層的厚度為100埃至1000埃。

8.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，該第二保護層包括鉬或鉬鈮合金。

9.如權利要求8所述的薄膜晶體管，其特征在于，該第二保護層的厚度為100埃至1000埃。

10.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，該第一鋁金屬層的厚度為1000埃至4000埃。

11.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，該第二鋁金屬層的厚度為1000埃至4000埃。

12.一種薄膜晶體管的制造方法，包括：

于一基板上形成一第一緩沖層，該第一緩沖層為一硅化物，且覆蓋該基板的全部；

于該第一緩沖層上依序形成一第一鋁金屬層及一第一保護層，以構成一柵極；

形成一柵絕緣層，以覆蓋該柵極；

于該柵極上方的部分該柵絕緣層上形成一溝道層；以及

于該溝道層上依序形成一第二緩沖層、一第二鋁金屬層及一第二保護層，以構成互相分隔的一源極及一漏極。

13.如權利要求12所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，形成該第一保護層的成膜壓力為0.1至1Pa，成膜功率密度為0.2至10.9w/cm2，成膜溫度為攝氏25度至150度。

14.如權利要求12所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，形成該第二保護層的成膜壓力為0.1至1Pa，成膜功率密度為0.2至10.9w/cm2，成膜溫度為攝氏25度至150度。

15.如權利要求12所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，形成該第二緩沖層的成膜壓力為0.1至1Pa，成膜功率密度為0.2至10.9w/cm2，成膜溫度為攝氏25度至150度。

16.如權利要求12所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，形成該第一鋁金屬層的成膜壓力為0.1至1Pa，成膜功率密度為0.2至10.9w/cm2，成膜溫度為攝氏25度至150度。

17.如權利要求12所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，形成該第二鋁金屬層的成膜壓力為0.1至1Pa，成膜功率密度為0.2至10.9w/cm2，成膜溫度為攝氏25度至150度。