[發明專利]改進的三維只讀存儲器有效
| 申請號： | 200610159413.X | 申請日： | 2002-11-17 |
| 公開（公告）號： | CN101110269A | 公開（公告）日： | 2008-01-23 |
| 發明（設計）人： | 張國飆 | 申請（專利權）人： | 張國飆 |
| 主分類號： | G11C17/10 | 分類號： | G11C17/10 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 610051四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 改進 三維 只讀存儲器 | ||
1.一種三維只讀存儲器(3D-ROM)中的二極化存儲元，其特征在于含有：
第一和第二導體；
一位于該第一和第二導體之間的二極化的準導通膜，電流在不同方向上通過該準導通膜時其電阻不同；
該準導通膜含有第一和第二次膜，該第一和第二次膜具有不同基材料。
2.根據權利要求1所述的二極化存儲元，其特征還在于：該第一次膜的基材料為第一半導體材料，該第二次膜的基材料為第二半導體材料，所述第一和第二半導體材料不同。
3.根據權利要求1所述的二極化存儲元，其特征還在于：該第一次膜的基材料為一半導體材料，該第二次膜的基材料為一介質材料。
4.一種三維只讀存儲器中的二極化存儲元，其特征在于含有：
第一和第二導體；
一位于該第一和第二導體之間的二極化的準導通膜，電流在不同方向上通過該準導通膜時其電阻不同；
該準導通膜與該第一和第二導體具有不同的界面。
5.根據權利要求4所述的二極化存儲元，其特征還在于：該第一和第二導體的基材料不同。
6.一種三維只讀存儲器(3D-ROM)中的無縫存儲元，其特征在于含有：
第一和第二導體；
一至少部分位于該第一和第二導體之間的3D-ROM膜，該部分3D-ROM膜含有一準導通膜和/或一反熔絲膜，電流在不同方向上通過該準導通膜時其電阻不同，編程前該反熔絲膜電阻較大；
該部分3D-ROM膜與該第一和第二導體具有第一和第二界面，該第一和第二界面在制造過程中未暴露在刻蝕環境中。
7.根據權利要求6所述的無縫存儲元，其特征還在于：所述三維只讀存儲器為三維掩膜編程只讀存儲器，且該部分3D-ROM膜含有該準導通膜。
8.根據權利要求6所述的無縫存儲元，其特征還在于：所述三維只讀存儲器為三維電編程只讀存儲器，且該部分3D-ROM膜含有該準導通膜和該反熔絲膜。
9.一種三維只讀存儲器(3D-ROM)中的三維存儲元，其特征在于含有：第一和第二導體；一至少部分位于該第一和第二導體之間的3D-ROM膜，該3D-ROM膜含有微晶半導體材料。
10.一種三維只讀存儲器(3D-ROM)中的三維存儲元，其特征在于含有：第一和第二導體；一至少部分位于該第一和第二導體之間的3D-ROM膜，該3D-ROM膜含有高隙寬半導體材料，該高隙寬半導體材料的隙寬大于硅。
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