[發明專利]電子發射元件的制備方法

有效

• 申請號: 200610157040.2
• 申請日: 2006-11-24
• 公開（公告）號: CN101192494A
• 公開（公告）日: 2008-06-04
• 發明（設計）人: 柳鵬;范守善;劉亮;姜開利
• 申請（專利權）人: 清華大學;鴻富錦精密工業(深圳)有限公司
• 主分類號: H01J9/02
• 分類號: H01J9/02;H01J1/316;H01J29/04
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種電子發射元件的制備方法，其包括以下步驟：

提供一基板；

間隔設置兩個平行的下電極于該基板表面；

沿垂直于下電極方向設置多個碳納米管元件于下電極上；

對應設置兩個上電極于下電極上，并將上述碳納米管元件固定于上電極與下電極之間；以及

形成一間隙于位于平行電極之間的碳納米管元件間。

2.如權利要求1所述的電子發射元件的制備方法，其特征在于，設置下電極與上電極的方法包括真空蒸鍍方法、磁控濺射方法或電子束蒸發方法。

3.如權利要求1所述的電子發射元件的制備方法，其特征在于，設置碳納米管元件的方法包括鋪設方法、噴灑方法或沉積方法。

4.如權利要求3所述的電子發射元件的制備方法，其特征在于，該鋪設方法包括以下步驟：提供一個碳納米管膜；將碳納米管膜沿平行于基板且垂直于下電極的方向鋪放在下電極表面上；以及，滴少許酒精于碳納米管膜上使其收縮后，形成多個碳納米管線鋪設于下電極的表面。

5.如權利要求3所述的電子發射元件的制備方法，其特征在于，該噴灑方法包括以下步驟：提供多個碳納米管分散于溶劑中；將含碳納米管的溶液噴灑于下電極上；使溶劑揮發，形成多個碳納米管設置于下電極的表面。

6.如權利要求3所述的電子發射元件的制備方法，其特征在于，該沉積方法包括以下步驟：提供多個碳納米管分散于溶劑中；將帶有下電極的基板放置于含有碳納米管的溶液中；靜置一段時間，使溶劑完全揮發，形成多個碳納米管設置于下電極的表面。

7.如權利要求5或6所述的電子發射元件的制備方法，其特征在于，進一步包括使碳納米管元件垂直于下電極的取向步驟。

8.如權利要求1所述的電子發射元件的制備方法，其特征在于，該間隙的形成方法包括以下步驟：在碳納米管元件與上電極的表面整體涂覆一層光刻膠；通過光刻方法露出該碳納米管元件的一部分；以及，通過等離子刻蝕去除碳納米管元件的露出的部分，形成間隙。

9.如權利要求8所述的電子發射元件的制備方法，其特征在于，形成間隙後將覆蓋在碳納米管及上電極表面的光刻膠保留，形成一固定層。

10.如權利要求8所述的電子發射元件的制備方法，其特征在于，進一步包括通過光刻形成連續的鋸齒狀間隙。

11.如權利要求1所述的電子發射元件的制備方法，其特征在于，形成間隙前進一步包括形成一固定層于上電極與碳納米管元件的上表面。

12.如權利要求1所述的電子發射元件的制備方法，其特征在于，形成間隙后進一步包括形成一凹槽于間隙下面的基板表面。

13.如權利要求1所述的電子發射元件的制備方法，其特征在于，設置碳納米管元件之前進一步包括通過真空蒸鍍、電子束蒸鍍或磁控濺射方法形成一支撐體于兩下電極間的基板表面。

14.一種應用電子發射元件的電子源的制備方法，其包括以下步驟：

提供一基板；

以一定間隔設置多個平行電極于上述基板表面；以及

沿平行于基板及垂直于上述電極方向設置多個碳納米管元件并固定于上述電極。