[發明專利]薄膜晶體管制造方法及其柵極制造方法

有效

• 申請號: 200610156920.8
• 申請日: 2006-11-17
• 公開（公告）號: CN101192527A
• 公開（公告）日: 2008-06-04
• 發明（設計）人: 顏碩廷
• 申請（專利權）人: 群康科技（深圳）有限公司;群創光電股份有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/336
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種薄膜晶體管柵極制造方法，其特征在于：包括以下步驟：提供一絕緣基板，在該絕緣基板的表面依序形成顯影速率自上而下漸增的至少兩光致抗蝕劑層；曝光并顯影該光致抗蝕劑層，剩余光致抗蝕劑層寬度自上而下遞減；依序在光致抗蝕劑層和沒有被光致抗蝕劑層覆蓋的絕緣基板表面沉積多層金屬層；移除該光致抗蝕劑層和該光致抗蝕劑層上的多層金屬層，剩余的多層金屬層即為薄膜晶體管的柵極，其寬度自上而下遞增。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管柵極制造方法，其特征在于：移除該光致抗蝕劑層和該光致抗蝕劑層上的多層金屬層的具體步驟包括：將絕緣基板投入一剝離液中，該剝離液是丙酮；待光致抗蝕劑層溶于剝離液且該光致抗蝕劑層上的多層金屬層隨之剝落后，將該絕緣基板取出清洗并吹干。

3.如權利要求1所述的薄膜晶體管柵極制造方法，其特征在于：該光致抗蝕劑層是兩層，并且是顯影速率自上而下漸增的正光致抗蝕劑。

4.如權利要求1所述的薄膜晶體管柵極制造方法，其特征在于：該光致抗蝕劑層是三層，并且是顯影速率自上而下漸增的負光致抗蝕劑。

5.如權利要求1所述的薄膜晶體管柵極制造方法，其特征在于：該至少兩光致抗蝕劑層的各光致抗蝕劑層厚度基本相同。

6.如權利要求1所述的薄膜晶體管柵極制造方法，其特征在于：該多層金屬層總厚度是該至少兩光致抗蝕劑層總厚度的三分之一。

7.如權利要求1所述的薄膜晶體管柵極制造方法，其特征在于：該多層金屬層包括三層金屬層，該三層金屬層離絕緣基板最近的金屬層的材料是鈦、鉻、鎢、鉬、氮化鉬、氮化鉭或氮化鈦；離絕緣基板最遠的金屬層的材料是鈦、鉻、鎢、鉬、氮化鉬、氮化鉭或氮化鈦；中間金屬層的材料是銅。

8.一種薄膜晶體管制造方法，其特征在于：包括以下步驟：提供一絕緣基板，在該絕緣基板的表面依序形成顯影速率自上而下漸增的至少兩光致抗蝕劑層；曝光并顯影該光致抗蝕劑層，剩余光致抗蝕劑層寬度自上而下遞減；依序在光致抗蝕劑層和沒有被光致抗蝕劑層覆蓋的絕緣基板表面沉積多層金屬層；移除該光致抗蝕劑層和該光致抗蝕劑層上的多層金屬層，剩余的多層金屬層即為薄膜晶體管的柵極，其寬度自上而下遞增；在該絕緣基板上沉積一柵極絕緣層；沉積一半導體材料層，圖案化該半導體材料層，進而形成一半導體層；沉積一金屬材料層，圖案化該金屬材料層，進而形成一源極和一漏極；沉積一鈍化層，圖案化該鈍化層，進而形成一連接孔。

9.如權利要求8所述的薄膜晶體管制造方法，其特征在于：該光致抗蝕劑層是兩層，并且是顯影速率自上而下漸增的正光致抗蝕劑。

10.如權利要求8所述的薄膜晶體管制造方法，其特征在于：該光致抗蝕劑層是三層，并且是顯影速率自上而下漸增的負光致抗蝕劑。