[發(fā)明專利]交流電發(fā)光裝置及其制法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200610156590.2
• 申請(qǐng)日: 2006-12-28
• 公開（公告）號(hào): CN101211957A
• 公開（公告）日: 2008-07-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 顏璽軒;葉文勇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院
• 主分類號(hào): H01L27/15
• 分類號(hào): H01L27/15;H01L21/82
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 程偉;王錦陽(yáng)

1.一種交流電發(fā)光裝置，至少包括：

基材；

多個(gè)微管芯發(fā)光元件，形成于該基材上，每一微管芯發(fā)光元件至少具有一有源層及導(dǎo)電端子；

整流元件專用部，形成于部份微管芯發(fā)光元件的表面；

整流單元，形成于該整流元件專用部上，具有至少四個(gè)依惠斯通電橋電路結(jié)構(gòu)配置的整流元件，用以提供整流作用而輸出直流電信號(hào)至各該微管芯發(fā)光元件；以及

導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，電性連接各該整流元件與微管芯發(fā)光元件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的交流電發(fā)光裝置，其中，該基材為晶片及絕緣基板的其中之一。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的交流電發(fā)光裝置，其中，該有源層為一發(fā)光活性層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的交流電發(fā)光裝置，其中，該導(dǎo)電端子為歐姆電極。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的交流電發(fā)光裝置，其中，該整流元件專用部為采用外延生長(zhǎng)及沉積的其中一種方式制成的整流元件專用層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的交流電發(fā)光裝置，其中，該整流元件專用層為半導(dǎo)體材料AlGaN形成的構(gòu)造。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的交流電發(fā)光裝置，其中，該整流元件專用部為采用離子注入及擴(kuò)散的其中一種方式摻雜雜質(zhì)制成于該基材上的整流元件專用區(qū)域。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的交流電發(fā)光裝置，其中，該雜質(zhì)為N型雜質(zhì)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的交流電發(fā)光裝置，其中，各該微管芯發(fā)光元件選自相互串聯(lián)、并聯(lián)、及串聯(lián)且并聯(lián)的其中之一。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的交流電發(fā)光裝置，其中，各該微管芯發(fā)光元件具有選自相同及相異波長(zhǎng)的其中之一。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的交流電發(fā)光裝置，其中，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)為選自導(dǎo)電架橋、打線金屬構(gòu)造、及具導(dǎo)電能力的透明金屬氧化層的其中之一。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的交流電發(fā)光裝置，其中，該微管芯發(fā)光元件包含緩沖層、N型半導(dǎo)體、有源層及P型半導(dǎo)體。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的交流電發(fā)光裝置，其中，各該微管芯發(fā)光元件為矩陣排列。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的交流電發(fā)光裝置，其中，該整流元件為肖特基二極管。

15.一種交流電發(fā)光裝置的制法，至少包括：

提供一基材；

于該基材上形成至少具一層有源層的多個(gè)微管芯發(fā)光元件；

于部份微管芯發(fā)光元件的表面形成整流元件專用層；

于該整流元件專用層上形成整流單元，該整流單元具有至少四個(gè)依惠斯通電橋電路結(jié)構(gòu)配置的整流元件；

蝕刻溝槽以使各該微管芯發(fā)光元件與整流元件相互絕緣；

于各該微管芯發(fā)光元件形成導(dǎo)電端子；以及

形成電性連接各該整流元件與微管芯發(fā)光元件的導(dǎo)電端子的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的交流電發(fā)光裝置的制法，其中，預(yù)先以蝕刻方式于該整流元件專用層表面定義出整流元件區(qū)域之后再形成整流單元，后續(xù)并完全去除該整流元件專用層的殘留部份。

17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的交流電發(fā)光裝置的制法，其中，預(yù)先于各該微管芯發(fā)光元件的外緣包覆一保護(hù)層，再移除部分保護(hù)層以穿過(guò)該保護(hù)層形成多個(gè)導(dǎo)電端子。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的交流電發(fā)光裝置的制法，其中，該保護(hù)層的材質(zhì)為介電材料。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的交流電發(fā)光裝置的制法，其中，該介電材料為SiO_x及SiN_x的其中之一。

20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的交流電發(fā)光裝置的制法，其中，該導(dǎo)電端子為歐姆電極。

21.根據(jù)權(quán)利要求15所述的交流電發(fā)光裝置的制法，其中，該整流元件為肖特基二極管。

22.根據(jù)權(quán)利要求15所述的交流電發(fā)光裝置的制法，其中，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)為選自導(dǎo)電架橋、打線金屬構(gòu)造、及具導(dǎo)電能力的透明金屬氧化層的其中之一。