[發(fā)明專利]對NAND閃存器件進行編程的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610156447.3
• 申請日: 2006-12-31
• 公開（公告）號: CN101154450A
• 公開（公告）日: 2008-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 樸成濟
• 申請（專利權(quán)）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 楊生平;楊紅梅

1.一種對NAND閃存器件進行編程的方法，所述方法包括：

提供閃存器件，其中N個字線被設(shè)置在漏極選擇線和源極選擇線之間，每個字線被分配有第一位線和第二位線；

執(zhí)行LSB編程操作，用于從鄰近所述源極選擇線的第一字線到鄰近所述漏極選擇線的第N字線存儲低級數(shù)據(jù)位；以及

執(zhí)行MSB編程操作，用于從鄰近所述源極選擇線的所述第一字線到鄰近所述漏極選擇線的所述第N字線存儲高級數(shù)據(jù)位，

其中所述LSB編程操作包括：

選擇給定字線，以及

對耦合到所選字線的第一位線的第一存儲單元以及然后對耦合到所選字線的第二位線的第二存儲單元進行編程，

其中重復所述選擇給定字線的步驟和對第一存儲單元進行編程的步驟直到第N字線已被處理。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一位線是偶數(shù)位線，而所述第二位線是奇數(shù)位線。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一位線是奇數(shù)位線，而所述第二位線是偶數(shù)位線。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述MSB編程操作包括：

選擇給定的字線，以及

對耦合到所選字線的所述第一位線的第一存儲單元以及然后對耦合到所選字線的所述第二位線的第二存儲單元進行編程，

其中重復所述選擇給定字線的步驟和所述對第一存儲單元進行編程的步驟直到第N字線已被處理。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述LSB編程操作使用遞增字線電壓的方法，所述字線電壓小于用于所述MSB編程操作的字線電壓。

6.一種對NAND閃存器件進行編程的方法，所述方法包括：

提供閃存器件，其中字線被設(shè)置在漏極選擇線與源極選擇線之間，其中鄰近所述源極選擇線提供第一字線并且鄰近所述漏極選擇線提供最后字線；

選擇字線來編程藕合到所選字線的存儲單元，以對所選第一字線執(zhí)行偶數(shù)LSB編程操作和奇數(shù)LSB編程操作；

其中每個所述字線被選擇直到所有所述字線已被選擇，使得對所有所述字線可以執(zhí)行所述偶數(shù)LSB編程操作和所述奇數(shù)LSB編程操作，其中執(zhí)行所述偶數(shù)LSB編程操作以將低級數(shù)據(jù)位存儲在耦合到分配給所選字線的偶數(shù)位線的存儲單元中，以及

其中執(zhí)行所述奇數(shù)LSB編程操作以將低級數(shù)據(jù)位存儲在耦合到分配給所選字線的奇數(shù)位線的存儲單元中。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中從所述第一字線順序地選擇所述字線直到所述最后的字線被選擇。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，還包括：

執(zhí)行偶數(shù)MSB編程操作，用于將高級數(shù)據(jù)位存儲到耦合到所選字線的偶數(shù)位線的所述存儲單元中；

執(zhí)行奇數(shù)MSB編程操作，用于將高級數(shù)據(jù)位存儲到耦合到所選字線的奇數(shù)位線的存儲單元中，

其中對每個所選字線執(zhí)行所述偶數(shù)MSB編程操作和所述奇數(shù)MSB編程操作，直到對所有所選字線已執(zhí)行了所述偶數(shù)MSB編程操作和所述奇數(shù)MSB編程操作。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述LSB編程操作使用遞增增加字線電壓的方法，所述字線電壓小于用于MSB編程操作的字線電壓。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中在所述奇數(shù)LSB編程之前進行所述偶數(shù)MSB編程操作。

11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中在所述奇數(shù)MSB編程操作之前執(zhí)行偶數(shù)MSB編程操作。

12.一種對具有多電平單元的閃存器件進行編程的方法，其中高級數(shù)據(jù)位和低級數(shù)據(jù)位與第一、第二、第三和第四閾值電壓電平相應，所述方法包括：

對低級數(shù)據(jù)位和高級數(shù)據(jù)位進行編程，其中2位數(shù)據(jù)存儲狀態(tài)包括第一、第二、第三、和第四狀態(tài)，這些狀態(tài)與所述第一、第二、第三、和第四閾值電壓電平分別相應。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述數(shù)據(jù)存儲狀態(tài)包括“11”，其通過對“11”的低級數(shù)據(jù)位進行編程而被從“11”轉(zhuǎn)換到“10”。

14.據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述數(shù)據(jù)存儲狀態(tài)包括“10”，其中通過對低級數(shù)據(jù)位進行編程而增加的“10”的閾值電壓通過遞增增加字線電壓來補償，其中所述字線電壓低于用于對高級數(shù)據(jù)位進行編程的字線電壓。