[發明專利]形成電容器電介質的方法以及使用該電容器電介質制造電容器的方法

無效

• 申請號: 200610156435.0
• 申請日: 2006-12-31
• 公開（公告）號: CN101097862A
• 公開（公告）日: 2008-01-02
• 發明（設計）人: 樸鐘范
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/31
• 分類號: H01L21/31;H01L21/3105;H01L21/316;H01L21/02;H01L21/8242;H01L27/00;H01L27/108;H01G4/30
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 楊生平;楊紅梅

1.一種形成電容器電介質的方法，所述方法包括：

在襯底上沉積氧化鋯層；

在氧化鋯層上實施后處理，使得氧化鋯層具有四方相；和

在氧化鋯層上沉積氧化鉭層，使得氧化鉭層具有四方相。

2.權利要求1的方法，其中后處理包括臭氧處理。

3.權利要求1的方法，其中后處理包括在300℃～500℃的溫度下利 用180g/m³～300g/m³的氧濃度來實施的氧處理，所述氧處理包括臭氧 的使用。

4.權利要求1的方法，其中利用原子層沉積過程來實施氧化鋯層的 沉積和氧化鉭層的沉積。

5.權利要求4的方法，其中通過重復單元沉積循環來實施氧化鋯層 的原子層沉積過程，直到氧化鋯層具有40～100的厚度，所述單元 沉積循環包括引入鋯源、引入第一清洗氣體、引入反應物以及引入第 二清洗氣體。

6.權利要求5的方法，其中鋯源使用選自以下物質的前體： Zr[NC₂H₅CH₃]₄、Zr[OC(CH₃)₂CH₂OCH₃]₄、Zr[OC(CH₃)₃]₄、ZrCl₄和ZrI₄， 而且其中鋯源流動0.1～10秒，其中第一清洗氣體和第二清洗氣體是相 同類型的。

7.權利要求4的方法，其中通過重復單元沉積循環來實施氧化鉭層 的原子層沉積過程，直到氧化鉭層具有20～100的厚度，所述單元 沉積循環包括引入鉭源、引入第一清洗氣體、引入反應物和引入第二 清洗氣體，其中第一清洗氣體和第二清洗氣體是相同類型的。

8.權利要求7的方法，其中鉭源使用氯化鉭前體，而且其中鉭源流 動0.1～10秒。

9.權利要求5的方法，其中反應物包括O₃和O₂等離子體中的一種。

10.權利要求5的方法，其中第一清洗氣體和第二清洗氣體各自包括 惰性氣體。

11.權利要求1的方法，其中在250℃～350℃的溫度下和在0.1托～ 10托的壓力下實施氧化鋯層的沉積和氧化鉭層的沉積。

12.權利要求1的方法，其中原位實施氧化鋯層的沉積、后處理和氧 化鉭層的沉積。

13.一種形成電容器電介質的方法，所述方法包括：

在襯底上沉積氧化鉭層；

在氧化鉭層上實施后處理，以提供具有四方相的氧化鉭層；和

在氧化鉭層上沉積氧化鋯層，使得氧化鋯層具有四方相。

14.權利要求13的方法，其中后處理包括使用臭氧。

15.權利要求14的方法，其中后處理在300℃～500℃的溫度下、在 180g/m³～300g/m³的氧濃度的環境中實施。

16.權利要求13的方法，其中利用原子層沉積過程來實施氧化鉭層的 沉積和氧化鋯層的沉積。

17.權利要求16的方法，其中通過重復單元沉積循環來實施氧化鋯層 的原子層沉積過程，直到氧化鋯層具有40～100的厚度，所述單元 沉積循環包括引入鋯源、引入第一清洗氣體、引入反應物和引入第二 清洗氣體。