[發明專利]半導體存儲裝置及其驅動方法

有效

• 申請號: 200610156408.3
• 申請日: 2006-12-29
• 公開（公告）號: CN101075476A
• 公開（公告）日: 2007-11-21
• 發明（設計）人: 樸文必
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: G11C11/40
• 分類號: G11C11/40;G11C11/4063;G11C11/4074;G11C11/404;G11C11/4096
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 楊生平;楊紅梅

相關申請的交叉引用

本發明要求于2006年5月19日提交的申請號為2006-044892的 韓國專利申請的優先權，通過引用將其全部內容合并與此。

技術領域

本發明涉及一種半導體存儲裝置，更具體而言，涉及一種傳輸單元 數據至位線且沒有損耗的半導體存儲裝置。

背景技術

隨著半導體技術的開發，已創造出可儲存大量數據的半導體存儲裝 置。半導體存儲裝置儲存一數據(one?data)于一個單元中。為了儲存 大量的數據，將多個單元集成至一個半導體存儲裝置中。因此，現有技 術的趨勢是盡可能地縮小單元尺寸，以便將多個單元集成于半導體存儲 裝置中。在動態隨機存取存儲器(DRAM，Dynamic?Random?Access Memory)的情形中，可由一個晶體管及一個電容器來配置單元，作為 開關的單元晶體管的尺寸應盡可能地減小并且還減少單元電容器的電 容。

因此，由于該單元中所儲存的數據信號的大小非常小，而無法從單 元直接輸出數據。結果，需要對該單元中所儲存的數據進行感測與放大 的操作。大多數的半導體存儲裝置具有感測放大器，該感測放大器感測 并放大該單元中所儲存的數據。重要的是，需花費長時間來感測與放大 該數據。當供應該單元中所儲存的數據至位線時，感測放大器感測并放 大預充電至預定電壓電平的位線條(bit?line?bar)和位線間的信號差。

另一方面，為了降低半導體存儲裝置的功耗，減少了輸入至半導體 存儲裝置的外部源電壓的電平。因此，當由感測放大器感測與放大供應 有數據信號的位線及預充電的位線條之間的電壓差的時間增加時，降低 了用于驅動該感測放大器的驅動電壓的電平。

由于降低了外部源電壓的電平，使得難以傳輸單位單元中所儲存的 數據至位線。例如，難以導通或關斷開關MOS晶體管以傳輸該單位單 元中所儲存的數據至位線、或傳輸供應至位線的數據信號至該單位單 元。單位單元中的開關MOS晶體管的柵極耦接至字線。當施加至字線 的電壓不足時，便無法有足夠的時間來導通作為單位單元的開關的 MOS晶體管。

在數據讀取時，連續進行寫入及讀取操作，如果暫時降低由外部源 電壓所產生的字線驅動電壓的電平，則無法導通該單位單元中的開關 MOS晶體管。這意味著無法傳輸數據信號至位線、無法感測與放大數 據，并且因而導致數據存取失敗。

發明內容

本發明的實施例提供一種在單位單元中具有開關MOS晶體管的半 導體存儲裝置，其即使以低電平的外部源電壓也可平穩地導通/關斷。

本發明的實施例提供一種半導體存儲裝置，包括：單元區域，具有 多個單位單元，每個單位單元具有開關MOS晶體管以傳輸數據；外圍 電路部件，用于存取該單位單元中所儲存的數據；以及閾值電壓控制部 件，控制該開關MOS晶體管的閾值電壓。

本發明的另一實施例提供一種半導體存儲裝置，包括：開關MOS 晶體管，形成設置在單元區域中的單位單元；排組體電壓(bank?bulk voltage)供應部件，供應體電壓至MOS晶體管的體；以及外圍電路體 電壓供應部件，供應體電壓至外圍電路，其中，當存取數據時，該排組 體電壓供應部件暫時供應第一體電壓至開關MOS晶體管，以降低開關 MOS晶體管的閾值電壓。

本發明的再一實施例提供一種半導體存儲裝置，包括：開關MOS 晶體管，形成設置在單元區域中的單位單元；體電壓供應部件，選擇性 供應第一體電壓或第二體電壓至開關MOS晶體管的體；以及命令控制 部件，其控制體電壓供應部件，其中，當存取數據時，體電壓供應部件 暫時供應第一體電壓至開關MOS晶體管，以降低開關MOS晶體管的 閾值電壓。

本發明的又一實施例提供一種半導體存儲裝置，包括：開關MOS 晶體管，形成設置在單元區域中的單位單元；體電壓供應部件，供應第 一體電壓至該開關MOS晶體管的體；開關電路部件，耦接體電壓供應 部件的輸出端子，以切換輸出端子至第二體電壓端子；以及命令控制部 件，控制開關電路部件，其中，當存取數據時，由該開關電路部件暫時 切換體電壓供應部件的輸出端子，以降低開關MOS晶體管的閾值電壓。