[發(fā)明專利]液晶顯示器及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610156392.6
• 申請日: 2006-12-29
• 公開（公告）號: CN101097367A
• 公開（公告）日: 2008-01-02
• 發(fā)明（設計）人: 金榮柱;李錫宇;樸秀婷
• 申請（專利權）人: LG.菲利浦LCD株式會社
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1333;G02F1/133;H01L21/00;G03F7/20
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權代理有限公司
• 代理人: 徐金國;梁揮

1、一種制造液晶顯示器的方法，包括：

制備限定有像素部分的TFT區(qū)域的絕緣基板；

在基板上形成有源層以覆蓋像素部分的TFT區(qū)域；

在有源層上形成像素部分的柵極；

在有源層中位于像素部分的柵極兩側形成像素部分的源區(qū)和像素部分的漏區(qū)；

在具有像素部分的漏區(qū)的基板上形成具有第一接觸孔和第二接觸孔的鈍化膜，所述第一接觸孔和第二接觸孔分別暴露像素部分的源區(qū)和像素部分的漏區(qū)；

在鈍化膜上順序形成透明導電膜和金屬膜；

在金屬膜上形成絕緣膜；以及

有選擇地蝕刻所述絕緣膜、所述金屬膜和透明導電膜以在像素部分形成順序沉積以覆蓋第一接觸孔的源極圖案、源極和所述源極上的第一絕緣圖案，以及形成順序沉積以覆蓋第二接觸孔的像素部分的漏極圖案、漏極和所述漏極上的第二絕緣圖案。

2、根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括在形成像素部分的柵極之前在具有有源層的基板上形成柵絕緣膜。

3、根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，通過在具有像素部分的漏區(qū)的基板上沉積和活化退火硅氧化物膜并且在該活化的硅氧化物膜上沉積和氫化退火硅氮化物膜而形成鈍化膜。

4、根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，通過在具有漏區(qū)的基板上順序形成硅氧化物膜和硅氮化物膜并且在退火該硅氧化物膜和硅氮化物膜后同時進行所述硅氧化物膜的活化和硅氮化物膜的氫化而形成所述鈍化膜。

5、根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，通過在具有漏區(qū)的基板上順序形成硅氧化物膜、硅氮化物膜和硅氧化物膜而形成所述鈍化膜。

6、根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括在形成所述鈍化膜后形成充填于所述第一接觸孔和第二接觸孔中的隔離金屬圖案。

7、根據(jù)權利要求6所述的方法，其特征在于，通過在鈍化膜上形成隔離金屬膜以覆蓋所述第一接觸孔和第二接觸孔、在具有隔離金屬膜的基板上沉積阻擋膜、灰化所述阻擋膜以形成暴露隔離金屬膜并剩余在所述第一接觸孔和第二接觸孔中的阻擋膜圖案、蝕刻由阻擋膜圖案暴露的隔離金屬膜以及去除該阻擋膜圖案而形成所述隔離金屬圖案。

8、根據(jù)權利要求7所述的方法，其特征在于，所述隔離金屬膜由鉬膜形成。

9、根據(jù)權利要求7所述的方法，其特征在于，所述隔離金屬膜的厚度為0.5μm至0.1μm。

10、根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，通過使用單一掩模的衍射曝光形成所述像素部分的源極圖案、像素部分的源極、像素部分的漏極圖案和像素部分的漏極。

11、一種制造液晶顯示器的方法，包括：

制備絕緣基板，所述絕緣基板限定有像素部分的TFT區(qū)域、柵焊盤區(qū)域以及設置在像素部分的TFT區(qū)域和柵焊盤區(qū)域之間的密封線區(qū)域；

在基板上形成有源層以覆蓋像素區(qū)域的TFT區(qū)域；

在有源層上形成像素部分的柵極并且同時在基板的柵焊盤區(qū)域上形成柵焊盤；

在有源層中位于像素部分的柵極兩側處形成像素部分的源區(qū)和像素部分的漏區(qū)；

在具有像素部分的漏區(qū)的基板上形成具有第一接觸孔和第二接觸孔以及開口部分的鈍化膜，所述第一接觸孔和第二接觸孔分別暴露像素部分的源區(qū)和像素部分的漏區(qū)，所述開口部分暴露所述柵焊盤；

在鈍化膜上順序形成透明導電膜和金屬膜；以及

有選擇地蝕刻所述金屬膜和透明導電膜以形成順序沉積以覆蓋第一接觸孔的像素部分的源極圖案和像素部分的源極、順序沉積以覆蓋第二接觸孔的像素部分的漏極圖案和像素部分的漏極以及順序沉積以覆蓋開口部分和密封線區(qū)域的焊盤部分的透明導電膜圖案和焊盤部分的金屬膜圖案。

12、根據(jù)權利要求11所述的方法，其特征在于，還包括在形成焊盤部分的透明導電膜圖案和焊盤部分的金屬膜圖案之后，有選擇地蝕刻該焊盤部分的金屬膜圖案以暴露所述密封線區(qū)域，并且在所述密封線區(qū)域中形成密封線。

13、根據(jù)權利要求11所述的方法，其特征在于，通過使用單一掩模的衍射曝光來形成所述像素部分的源極圖案和像素部分的源極、像素部分的漏極圖案和像素部分的漏極以及焊盤部分的透明導電膜圖案和焊盤部分的金屬膜圖案。