[發明專利]液晶顯示器件及其制造方法有效
| 申請號: | 200610156390.7 | 申請日: | 2006-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN101097333A | 公開(公告)日: | 2008-01-02 |
| 發明(設計)人: | 金珍浩;林炳昊;金寶嵐 | 申請(專利權)人: | LG.菲利浦LCD株式會社 |
| 主分類號: | G02F1/1333 | 分類號: | G02F1/1333;G02F1/1362;H01L21/00 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 | 代理人: | 徐金國;梁揮 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 液晶顯示 器件 及其 制造 方法 | ||
本發明要求享有2006年6月30日提交的韓國專利申請No.10-2006-0061616的優先權,在此引入其全部內容作為參考。
技術領域
本發明涉及一種液晶顯示(LCD)器件及其制造方法,并尤其涉及一種液晶顯示器件,其通過移除傳統的公共線以及利用形成在除開口外的區域上的金屬層作為公共線,能降低公共電極的電阻。
背景技術
近來,有源矩陣LCD器件廣泛用于平板TV、便攜式計算機、監視器等。
在有源矩陣LCD器件中,主要使用扭轉向列(TN)型LCD器件。
根據TN型LCD器件,電極分別設置在兩基板上,并且將液晶指向矢設置為扭轉90°。接著,將電壓施加在電極上從而驅動液晶(LC)指向矢。
TN型LCD器件由于具有優異的對比度和色彩再現而倍受關注。然而,TN型LCD器件具有窄視角。
為了解決TN型LCD器件的問題,已提出了共平面開關模式(IPS)。根據IPS模式,兩個電極,即像素電極和公共電極形成在一個基板上,并LC指向矢通過兩個電極之間產生的水平電場控制。
參照圖1將說明傳統LCD器件的結構。
圖1為根據現有技術的LCD器件的平面圖。
參照圖1,在透明基板(未示出)上設置有由不透明金屬形成的彼此垂直交叉的柵線13和公共線15用于限定像素。在柵線13和公共線15的各交叉點處形成有用于切換電壓導通/截止的薄膜晶體管。
由透明金屬形成的平板型公共電極11和像素電極29通過絕緣層絕緣,并且在像素中彼此交疊。
公共電極11和公共線15彼此相接,并且公共線15與柵線13平行排列從而將單位像素劃分為上部和下部。
像素電極29由平板型透明金屬構成,并且沿基于公共線15的上下方向具有彼此對稱的多條狹縫29a。
在公共電極11和像素電極29之間產生邊緣場。將公共信號施加在公共電極15a上,并且將已通過TFT的像素電壓施加在像素電極29上。
液晶通過邊緣場驅動,即,當LCD器件不施加電壓時,通過邊緣場使初始排列的液晶旋轉從而使光通過。
在邊緣場型LCD器件的上下基板的內表面處還提供定向層(未示出)。將位于上基板上的定向層(未示出)和位于下基板上的定向層(未示出)以類似于TN型的方式使二者之間成90°設置。
參照圖2將說明一種根據現有技術LCD器件的制造方法。
圖2為根據現有技術LCD器件的截面圖。
參照圖2,將諸如氧化銦錫(ITO)的透明導電材料沉積在陣列基板10上并接著進行構圖,從而形成公共電極11。
接下來,將用于柵的金屬材料沉積在包含公共電極11的陣列基板10上并接著進行構圖,從而形成柵線13和公共線15。
柵極13a形成在柵線13上,并且柵線13和公共線15彼此平行形成。
接著,將絕緣材料沉積在包括公共電極11、柵線13和公共線15的陣列基板10的整個表面上,從而形成柵絕緣層17。
接著,將半導體層19形成在柵絕緣層17上。
然后,將用于數據線的導電材料沉積在包括半導體層19的陣列基板10的整個表面上,并接著構圖,從而形成數據線20和源極21/漏極23。將絕緣材料沉積在包括數據線20的陣列基板10的整個表面上,從而形成鈍化層25。
對鈍化層25選擇性構圖,從而形成使漏極23的一部分暴露的接觸孔(未示出)。
諸如ITO的透明導電材料沉積在鈍化層25上并接著構圖,從而形成具有多條狹縫29a的像素電極29。
像素電極29通過接觸孔(未示出)與漏極23電連接。
定向層(未示出)形成在鈍化層25上并以預定方向排列,該鈍化層25包括具有多條狹縫29a的像素電極29。
在邊緣場型LCD器件中,使位于上基板上的定向層和位于下基板上的定向層以二者之間成90°角排列。這里,該定向方向可為任意方向。
然而,傳統的LCD器件及其制造方法具有以下問題。
首先,公共電極設置在像素電極下方,并且該像素電極設置于柵絕緣層和鈍化層上。因此,由黑等級中由源極/漏極和像素電極之間形成的電場產生漏光。
通過形成在濾色片基板上的黑矩陣可以避免漏光。然而,當陣列基板和濾色片基板彼此相粘接時,源極/漏極和黑矩陣之間的排列余量降低,從而非常可能出現不對準并因此降低孔徑比。
另外,在傳統的LCD器件中,氮化硅(SiNx)用作鈍化層。由于氮化硅具有約為6~7的高介電常數,因此可能在公共電極和像素電極之間產生寄生電容。
發明內容
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