[發(fā)明專利]零等待電流精確過(guò)電壓比較器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200610153719.4
• 申請(qǐng)日: 2006-09-08
• 公開（公告）號(hào): CN101140301A
• 公開（公告）日: 2008-03-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: N·曾;G·Q·張
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳賽意法微電子有限公司
• 主分類號(hào): G01R19/165
• 分類號(hào): G01R19/165;G01R31/28
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 楊凱;梁永

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及過(guò)電壓比較器，更具體地說(shuō)，涉及在正常電壓工作情況下包括特殊節(jié)能特征的過(guò)電壓比較器電路。

背景技術(shù)

以下符號(hào)約定用于說(shuō)明現(xiàn)有技術(shù)以及本發(fā)明，列于如下表1。

表1：符號(hào)約定

VS待檢測(cè)的電源電壓。5V芯片上內(nèi)部5V電源。V_drop一系列齊納二極管和雙極晶體管的電壓降。它具有低的溫度系數(shù)。V_BG芯片上帶隙基準(zhǔn)電壓，1.24V左右。VS_threshold過(guò)電壓比較器的閾值電壓，它大大高于正常工作電壓。I_b偏流。I_p反偏電流。

一般來(lái)說(shuō)，有兩種傳統(tǒng)的電路結(jié)構(gòu)用于過(guò)電壓比較器。第一種傳統(tǒng)比較器結(jié)構(gòu)100示于圖1。比較器100包括：V_drop電路102，連接到VS電源電壓源；電阻分壓器106，包括電阻器R1和R2，連接在V_drop電路102和地之間。NMOS晶體管M1的柵極連接到電阻分壓器106，漏極用于接收偏流I_b，且源極連接到地。偏流I_b連接在內(nèi)部5V電源電壓源和晶體管M1的漏極之間。施密特觸發(fā)電路104的輸入連接到晶體管M1的漏極，且其輸出用于提供OUT過(guò)電壓輸出信號(hào)。

比較器電路100以NMOS晶體管M1的閾值電壓作為基準(zhǔn)電壓。該閾值電壓由下式給出：