[發明專利]非晶硅層的結晶方法及其光掩模

無效

• 申請號: 200610151610.7
• 申請日: 2006-09-07
• 公開（公告）號: CN101140853A
• 公開（公告）日: 2008-03-12
• 發明（設計）人: 朱芳村;林家興
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/20;H01L21/268;B23K26/06;G03F1/14
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種非晶硅層的結晶方法，包括：

(A)提供基板，該基板上已形成非晶硅層；

(B)提供光掩模，該光掩模具有光掩模圖案，而該光掩模圖案包括彼此成鏡像對稱的第一區域圖案與第二區域圖案；

(C)選取該第一區域圖案為第一照射區域，并往第一方向移動該基板，以使激光束通過該第一區域圖案而照射在沿著該第一方向上的該非晶硅層上；

(D)選取該第二區域圖案為第二照射區域，并往與該第一方向相反的第二方向移動該基板，以使該激光束通過該第二區域圖案而照射在沿著該第二方向上的該非晶硅層上；以及

(E)重復該(C)、(D)步驟，以使該基板上的非晶硅層完全轉變為多晶硅層。

2.如權利要求1所述的非晶硅層的結晶方法，其中該第一照射區域的面積大于或等于該第一區域圖案的面積。

3.如權利要求1所述的非晶硅層的結晶方法，其中該第二照射區域的面積大于或等于該第二區域圖案的面積。

4.如權利要求1所述的非晶硅層的結晶方法，其中該第一照射區域的面積小于該光掩模圖案的面積。

5.如權利要求1所述的非晶硅層的結晶方法，其中該第二照射區域的面積小于該光掩模圖案的面積。

6.如權利要求1所述的非晶硅層的結晶方法，其中，將該基板從往該第一方向的移動轉變到往該第二方向的移動之前，同時進行對準該基板與該光掩模以及選取該第二區域圖案為該第二照射區域的操作。

7.如權利要求1所述的非晶硅層的結晶方法，其中，將該基板從往該第二方向的移動轉變到往該第一方向的移動之前，同時進行對準該基板與該光掩模以及選取該第一區域圖案為該第一照射區域的操作。

8.如權利要求1所述的非晶硅層的結晶方法，其中，該光掩模圖案包括：

第一子圖案；

第二子圖案；以及

第三子圖案，而該第二子圖案位于該第一子圖案與該第三子圖案之間；

其中，該第一子圖案與該第二子圖案構成該第一區域圖案，該第二子圖案與該第三子圖案構成該第二區域圖案。

9.一種光掩模，適用于順序橫向固化激光結晶方法，該光掩模包括：

透明基板，該透明基板上設置有光掩模圖案，而該光掩模圖案包括彼此成鏡像對稱的第一區域圖案與第二區域圖案；

其中，當使激光束照射在該光掩模上而形成照射區域時，該照射區域的面積小于該光掩模圖案的面積。

10.如權利要求9所述的光掩模，其中該照射區域的面積大于或等于該第一區域圖案的面積。

11.如權利要求9所述的光掩模，其中該照射區域的面積大于或等于該第二區域圖案的面積。

12.如權利要求9所述的光掩模，其中，該光掩模圖案包括：

第一子圖案；

第二子圖案；以及

第三子圖案，而該第二子圖案位于該第一子圖案與該第三子圖案之間；

其中，該第一子圖案與該第二子圖案構成該第一區域圖案，該第二子圖案與該第三子圖案構成該第二區域圖案。