[發明專利]蝕刻液以及使用此蝕刻液的圖案化導電層的制造方法

有效

• 申請號: 200610151609.4
• 申請日: 2006-09-07
• 公開（公告）號: CN101139713A
• 公開（公告）日: 2008-03-12
• 發明（設計）人: 劉思呈;楊承慈;吳健為;梁碩瑋
• 申請（專利權）人: 臺灣薄膜電晶體液晶顯示器產業協會;中華映管股份有限公司;友達光電股份有限公司;廣輝電子股份有限公司;瀚宇彩晶股份有限公司;奇美電子股份有限公司;財團法人工業技術研究院;統寶光電股份有限公司
• 主分類號: C23F1/16
• 分類號: C23F1/16;C23F1/26;H01L21/3213;H01L21/336;H01L29/43
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種蝕刻液，用以圖案化復層結構，其包括：

含量為5wt％至40wt％的過醋酸；

含量為5wt％至15wt％的過醋酸穩定劑；

含量為5wt％至10wt％的有機酸；

含量為5wt％至15wt％的無機酸；

含量為8wt％至15wt％的鹽類；以及

含量為15wt％至75wt％的水。

2.如權利要求1所述的蝕刻液，其中該有機酸選自于由醋酸、檸檬酸、草酸、酒石酸及其混合物所組成的族群。

3.如權利要求1所述的蝕刻液，其中該無機酸選自于由H₂SO₄、HNO₃、HCl、H₃PO₄及其混合物所組成的族群。

4.如權利要求1所述的蝕刻液，其中該鹽類選自于由KCl、NaCl、KHSO₄、KIO₄、(NH₄)HPO₄、CH₃COONH₄、CH₃COONa、CH₃COOK及其混合物所組成的族群。

5.一種電子元件的圖案化導電層的制造方法，包括：

在基板上形成導電層，此導電層為復層結構或是單層金屬層；

選擇性裸露出該導電層，形成暴露部分與未暴露部分；以及

以蝕刻液蝕刻去除該暴露部份以及部份該未暴露部份，以形成圖案化的導電層，其中該蝕刻液包括過醋酸、過醋酸穩定劑、有機酸、無機酸、鹽類以及水。

6.如權利要求5所述的電子元件的圖案化導電層的制造方法，其中該過醋酸的含量為蝕刻液總重量的5至40wt％；過醋酸穩定劑的含量為5至15wt％；有機酸的含量為5至10wt％；無機酸的含量為5至15wt％；鹽類的含量為8至15wt％；水的含量為15至75wt％。

7.如權利要求5所述的電子元件的圖案化導電層的制造方法，其中該有機酸選自于由醋酸、檸檬酸、草酸、酒石酸及其混合物所組成的族群。

8.如權利要求5所述的電子元件的圖案化導電層的制造方法，其中該無機酸選自于由H₂SO₄、HNO₃、HCl、H₃PO₄及其混合物所組成的族群。

9.如權利要求5所述的電子元件的圖案化導電層的制造方法，其中該鹽類選自于由KCl、NaCl、KHSO₄、KIO₄、(NH₄)HPO₄、CH₃COONH₄、CH₃COONa、CH₃COOK及其混合物所組成的族群。

10.如權利要求5所述的電子元件的圖案化導電層的制造方法，其中該復層結構包括一第一金屬層與一第二金屬層，其中第一金屬層的材料包括銅及其合金；該第二金屬層的材料是選自于由鉬、銀、鉭、鈦、鋁、鉻、鎳、鎢、金及其合金所組成的族群，該單層金屬層為銅合金層，且該銅合金層的銅合金元素選自于由鎂、銀、鉻、鎢、鉬、鈮、氮、銀、釕、碳及其混合合金所組成的族群。

11.如權利要求10所述的電子元件的圖案化導電層的制造方法，其中該復層結構包括該第一金屬層/該第二金屬層結構或該第二金屬層/該第一金屬層/該第二金屬層結構。

12.如權利要求10所述的電子元件的圖案化導電層的制造方法，其中該復層結構與該單層金屬層的形成方法可以采用濺射、蒸鍍、電鍍或無電鍍方式。

13.如權利要求5所述的電子元件的圖案化導電層的制造方法，其中該圖案化導電層結構為薄膜晶體管液晶顯示器或等離子體顯示器的金屬導線。

14.如權利要求5所述的電子元件的圖案化導電層的制造方法，其中該圖案化導電層結構為導線、接觸部、源極/漏極、數據線或掃描線。