[發明專利]于基材上制造緩沖層的方法無效
| 申請號： | 200610150774.8 | 申請日： | 2006-10-26 |
| 公開（公告）號： | CN101170068A | 公開（公告）日： | 2008-04-30 |
| 發明（設計）人： | 陳敏璋;徐文慶;何雅蘭 | 申請（專利權）人： | 中美矽晶制品股份有限公司;陳敏璋 |
| 主分類號： | H01L21/365 | 分類號： | H01L21/365;C23C16/00;C23C16/40;C23C16/44 |
| 代理公司： | 隆天國際知識產權代理有限公司 | 代理人： | 高龍鑫 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基材 制造 緩沖 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種于基材上制造緩沖層的方法，該方法包含下列步驟：
交替地提供DEZn前驅物和H2O前驅物或O3前驅物；以及
在等于或低于400℃的工作溫度下，進行原子層沉積，進而于該基材上形成氧化鋅(ZnO)層，該ZnO層就是緩沖層。
2.根據權利要求1所述的方法，其中該工作溫度范圍是室溫至400℃。
3.根據權利要求1所述的方法，其中該基材選自由晶體方向為(0001)的藍寶石基材、晶體方向為(111)的硅基材、晶體方向為(0001)的6H-SiC、4H-SiC基材以及玻璃基材組成的組中之一。
4.根據權利要求1所述的方法，其中ZnO層的厚度為20nm至500nm。
5.根據權利要求1所述的方法，其進一步包含下列步驟：
在400℃至1200℃的溫度下對該ZnO層進行退火。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
