[發(fā)明專利]太陽(yáng)能電池及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200610150773.3
• 申請(qǐng)日: 2006-10-26
• 公開（公告）號(hào): CN101170139A
• 公開（公告）日: 2008-04-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳敏璋;徐文慶;何雅蘭;王榮宗
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中美矽晶制品股份有限公司;陳敏璋
• 主分類號(hào): H01L31/042
• 分類號(hào): H01L31/042;H01L31/02;H01L31/18
• 代理公司: 隆天國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 陳晨

1.一種太陽(yáng)能電池，包含：

半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組合，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組合包含至少一個(gè)PN結(jié)并且具有照射面；以及

由至少一種氧化物所形成的第一多層原子層結(jié)構(gòu)，該第一多層原子層結(jié)構(gòu)覆蓋該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組合的該照射面，其中該第一多層原子層結(jié)構(gòu)被用作表面鈍化層以及第一透明導(dǎo)電層。

2.如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其中該至少一種氧化物包含氧化鋁。

3.如權(quán)利要求2所述的太陽(yáng)能電池，其中該氧化鋁經(jīng)過原子層沉積處理并在范圍為從室溫至400℃中的處理溫度下形成于該第一多層原子層結(jié)構(gòu)內(nèi)。

4.如權(quán)利要求3所述的太陽(yáng)能電池，其中該氧化鋁的該原子層沉積處理的原料采用TMA前體與H₂O前體或O₃前體。

5.如權(quán)利要求3所述的太陽(yáng)能電池，其中該氧化鋁沉積并覆蓋在該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組合的該照射面上至一厚度，以提供該表面鈍化層的功能。

6.如權(quán)利要求5所述的太陽(yáng)能電池，其中該至少一種氧化物還包含氧化鋅。

7.如權(quán)利要求6所述的太陽(yáng)能電池，其中該第一多層原子層結(jié)構(gòu)大體上視為摻雜鋁的氧化鋅層，該摻雜鋁的氧化鋅層具有一鋅原子/鋁原子比例以及一沉積厚度，以使該摻雜鋁的氧化鋅層提供抗反射層的功能。

8.如權(quán)利要求7所述的太陽(yáng)能電池，其中在該摻雜鋁的氧化鋅層中該氧化鋁以N層原子層形式存在，N為自然數(shù)。

9.如權(quán)利要求6所述的太陽(yáng)能電池，其中該氧化鋅經(jīng)過原子層沉積處理，并在范圍為從室溫至400℃中的處理溫度下形成于該第一多層原子層結(jié)構(gòu)內(nèi)。

10.如權(quán)利要求9所述的太陽(yáng)能電池，其中該氧化鋅的該原子層沉積處理的原料采用DEZn前體與H₂O前體或O₃前體。

11.如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其中該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組合還包含硅基材。

12.如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其中該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組合還具有為該照射面的反面的下表面，該太陽(yáng)能電池進(jìn)一步包含由該至少一種氧化物組成且覆蓋該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組合的下表面的第二多層原子層結(jié)構(gòu)以及覆蓋該第二多層原子層結(jié)構(gòu)的被反射層，該第二多層原子層結(jié)構(gòu)提升該被反射層對(duì)未被吸收的長(zhǎng)波長(zhǎng)光線的反射率。

13.如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其中該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組合的該照射面經(jīng)過表面粗糙化處理。

14.一種制造太陽(yáng)能電池的方法，該方法包含下列步驟：

形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組合，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組合包含至少一個(gè)PN結(jié)且具有照射面；以及

形成由至少一種氧化物組成的第一多層原子層結(jié)構(gòu)，該第一多層原子層結(jié)構(gòu)覆蓋該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組合的該照射面，其中該多層原子層結(jié)構(gòu)被用作表面鈍化層以及第一透明導(dǎo)電層。

15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中該至少一種氧化物包含氧化鋁。

16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中該氧化鋁經(jīng)過原子層沉積處理，并在范圍為從室溫至400℃中的處理溫度下形成于該第一多層原子層結(jié)構(gòu)內(nèi)。

17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中該氧化鋁的該原子層沉積處理的原料采用TMA前體與H₂O前體或O₃前體。

18.如權(quán)利要求16所述的方法，其中該氧化鋁沉積并覆蓋在該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組合的該照射面上至一厚度，以提供該表面鈍化層的功能。

19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中該至少一種氧化物還包含氧化鋅。

20.如權(quán)利要求19所述的方法，其中該第一多層原子層結(jié)構(gòu)大體上視為摻雜鋁的氧化鋅層，該摻雜鋁的氧化鋅層具有一鋅原子/鋁原子比例以及沉積厚度，以使該摻雜鋁的氧化鋅層提供抗反射層的功能。

21.如權(quán)利要求20所述的方法，其中在該摻雜鋁的氧化鋅層中該氧化鋁以N層原子層形式存在，N為自然數(shù)。

22.如權(quán)利要求19所述的方法，其中該氧化鋅經(jīng)過原子層沉積處理，并在范圍為從室溫至400℃中的處理溫度下形成于該第一多層原子層結(jié)構(gòu)內(nèi)。