[發(fā)明專利]半導體結(jié)構(gòu)的形成方法及半導體結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610150312.6
• 申請日: 2006-10-26
• 公開（公告）號: CN101064251A
• 公開（公告）日: 2007-10-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蔡方文;陳奕伊;吳振誠;林志隆;包天一;鄭雙銘;余振華
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/31
• 分類號: H01L21/31;H01L21/768
• 代理公司: 北京林達劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務所
• 代理人: 劉新宇

1.一種半導體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，該半導體結(jié)構(gòu)的形成方法包括：

提供一半導體基底；

形成一介電層于該半導體基底上；

通過化學氣相沉積法形成一附著層于該介電層上，其中該附著層包括一起始層與一過渡層形成在該介電層上，該起始層形成于該過渡層下，且該過渡層至少具有一自該過渡層的底部至頂部逐漸改變的特性，該特性是該過渡層的組成；

形成一低介電常數(shù)介電層于該附著層上，且該低介電常數(shù)介電層與該附著層在相同腔室中形成，其中該起始層、該過渡層、以及該低介電常數(shù)介電層都包括摻雜碳的氧化物；以及

形成一鑲嵌開口在該低介電常數(shù)介電層中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，該特性包括碳濃度、氧濃度、硅濃度及其組合。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，該附著層及該低介電常數(shù)介電層是通過等離子增強化學氣相沉積法形成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在形成該過渡層之前先形成該起始層，其中，逐漸改變形成該過渡層的工藝條件，使得形成該過渡層的底部的工藝條件與形成該起始層的工藝條件相同，且形成該過渡層的頂部的工藝條件與形成該低介電常數(shù)介電層的工藝條件相同。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在形成該過渡層期間打開等離子。

6.一種半導體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，該半導體結(jié)構(gòu)的形成方法包括：

提供一半導體基底；

形成一蝕刻停止層于該半導體基底上；

通過化學氣相沉積法在一腔室中形成一起始層于該蝕刻停止層上；

逐漸的改變該起始層的工藝條件，以于該腔室中形成一過渡層在該起始層上，其中在形成該過渡層的工藝中，改變該過渡層的工藝條件以符合形成一低介電常數(shù)介電材料的工藝條件；

在該腔室中，形成一低介電常數(shù)介電層于該過渡層上，其中該起始層、該過渡層、以及該低介電常數(shù)介電層都包括摻雜碳的氧化物；以及

形成一鑲嵌開口在該低介電常數(shù)介電層中。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，該蝕刻停止層在另一腔室中形成。

8.一種半導體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該半導體結(jié)構(gòu)包括：

一半導體基底；

一介電層，形成在該半導體基底上；

一附著層，形成在該介電層上，其中該附著層包括一起始層與一過渡層形成在該介電層上，該起始層形成于該過渡層下，并且該過渡層的組成自該過渡層的底部至頂部逐漸的改變；

一低介電常數(shù)介電層，形成于該附著層上，其中該起始層、該過渡層、以及該低介電常數(shù)介電層都包括摻雜碳的氧化物；以及

一雙鑲嵌開口，形成于該低介電常數(shù)介電層中。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該過渡層的頂部的組成與該低介電常數(shù)介電層的組成相同。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該過渡層的介電常數(shù)大于2.3。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該低介電常數(shù)介電層具有較過渡層高的含碳濃度，該過渡層的含碳濃度自其底部至頂部逐漸增加。