[發明專利]低介電常數高Q值微波介質材料無效
| 申請號： | 200610150178.X | 申請日： | 2006-10-31 |
| 公開（公告）號： | CN101134669A | 公開（公告）日： | 2008-03-05 |
| 發明（設計）人： | 朱田中 | 申請（專利權）人： | 朱田中 |
| 主分類號： | C04B35/01 | 分類號： | C04B35/01;C01G1/02;C01G15/00;C01G9/02;C01B33/113;H01B3/00;H01B3/12;H01P7/10;H01P1/20 |
| 代理公司： | 北京思海天達知識產權代理有限公司 | 代理人： | 魏聿珠 |
| 地址： | 215633江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 介電常數 微波 介質 材料 | ||
【權利要求書】：
1.低介電常數高Q值微波介質材料，其特征在于：其成分為：ZnO、SiO2、ln2O3，其中，在1份材料中，ZnO摩爾分數a為1.5-3.0，SiO2摩爾分數b為0.5-1.3，ZnO和SiO2總和的質量百分比c為0.05％-0.1％，剩余物質為ln2O3。
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