[發明專利]溝渠式電容器結構的制備方法

無效

• 申請號: 200610149403.8
• 申請日: 2006-11-17
• 公開（公告）號: CN101188213A
• 公開（公告）日: 2008-05-28
• 發明（設計）人: 賴素貞;廖宏魁
• 申請（專利權）人: 茂德科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L21/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種溝渠式電容器結構的制備方法，包含下列步驟：

形成至少一溝渠于一襯底中；

形成一埋入式下電極于該溝渠的下部外緣；

形成一覆蓋該溝渠內側壁的介電層；

形成一上電極于溝渠的下部；

形成一環狀絕緣層于該溝渠上部內壁；以及

進行一摻雜工藝以將導電摻雜劑注入該上電極。

2.根據權利要求1的溝渠式電容器結構的制備方法，其中該導電摻雜劑是N⁺型。

3.根據權利要求2的溝渠式電容器結構的制備方法，其中該導電摻雜劑是砷離子。

4.根據權利要求1的溝渠式電容器結構的制備方法，其中形成一上電極于該溝渠的下部包含進行多次沉積工藝，且在該沉積工藝之間通入一含導電摻雜劑的氣體至該溝渠。

5.根據權利要求4的溝渠式電容器結構的制備方法，其中該沉積工藝形成一多晶硅層于該溝渠的內壁，而該導電摻雜劑擴散進入該多晶硅層。

6.根據權利要求1的溝渠式電容器結構的制備方法，其中形成一上電極于該溝渠的下部包含：

進行一第一沉積工藝，形成一第一多晶硅層于該溝渠的內壁；

通入一含導電摻雜劑的氣體至該溝渠，使得該導電摻雜劑擴散進入該第一多晶硅層；

進行一第二沉積工藝，形成一第二多晶硅層于該第一多晶硅層表面；以及

通入一含導電摻雜劑的氣體至該溝渠，使得該導電摻雜劑擴散進入該第二多晶硅層。

7.根據權利要求6的溝渠式電容器結構的制備方法，其中該導電摻雜劑是N⁺型。

8.根據權利要求7的溝渠式電容器結構的制備方法，其中該導電摻雜劑是砷離子。

9.一種溝渠式電容器結構的制備方法，包含下列步驟：

形成至少一溝渠于一襯底中；

形成一埋入式下電極于該溝渠的下部外緣；

形成一覆蓋該溝渠內側壁的介電層；

進行多次沉積工藝且在該沉積工藝之間通入一含導電摻雜劑的氣體至該溝渠以形成多層填滿該溝渠的導電層；以及

局部去除該溝渠上部的導電層而形成一上電極于該溝渠的下部。

10.根據權利要求9的溝渠式電容器結構的制備方法，其中該沉積工藝形成一多晶硅層于該溝渠的內壁，而該導電摻雜劑擴散進入該多晶硅層。

11.根據權利要求9的溝渠式電容器結構的制備方法，其中形成一上電極于該溝渠的下部包含：

進行一第一沉積工藝，形成一第一多晶硅層于該溝渠的內壁；

通入一含導電摻雜劑的氣體至該溝渠，使得該導電摻雜劑擴散進入該第一多晶硅層；

進行一第二沉積工藝，形成一第二多晶硅層于該第一多晶硅層表面；以及

通入一含導電摻雜劑的氣體至該溝渠，使得該導電摻雜劑擴散進入該第二多晶硅層。

12.根據權利要求11的溝渠式電容器結構的制備方法，其中該導電摻雜劑是N⁺型。

13.根據權利要求12的溝渠式電容器結構的制備方法，其中該導電摻雜劑是砷離子。