[發明專利]離子束測量方法和離子注入裝置

有效

• 申請號: 200610149348.2
• 申請日: 2006-11-21
• 公開（公告）號: CN101079362A
• 公開（公告）日: 2007-11-28
• 發明（設計）人: 海勢頭圣;濱本成顯;池尻忠司;田中浩平
• 申請（專利權）人: 日新意旺機械股份有限公司
• 主分類號: H01J37/244
• 分類號: H01J37/244;H01J37/317;H01L21/265;G01T1/29
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 李濤;鐘強

1.一種在離子注入裝置中進行的離子束測量方法，用于通過沿x方向的掃描或不通過沿x方向的掃描，用具有x方向中的尺寸大于基本上垂直于x方向的y方向中的尺寸的帶形形狀的離子束照射靶，所述離子注入裝置在所述靶的上游和下游側分別具有前級多點法拉第和后級多點法拉第，由沿x方向并置的多個測量離子束的束電流的檢測器構成每個所述前級多點法拉第和所述后級多點法拉第，以及分別將所述前級多點法拉第的多個入口的上端和下端連接到一起的直線的至少一條基本上平行于x方向，所述離子注入裝置還具有布置在所述前級多點法拉第的上游附近并且其具有允許離子束穿過的孔的掩板，沿y方向驅動所述前級多點法拉第的前級法拉第驅動裝置，布置在所述后級多點法拉第的上游附近以阻擋離子束并且具有與x方向基本上平行的側面的后級束約束葉片，以及沿y方向驅動所述后級束約束葉片的后級葉片驅動裝置，所述離子束測量方法包括：

當由所述前級法拉第驅動裝置沿y方向驅動所述前級多點法拉第時，進行測量經過所述掩板的所述孔并且入射到所述前級多點法拉第上的離子束的束電流的變化的前級束電流密度分布測量步驟，以得到在所述前級多點法拉第的入口位置處離子束沿y方向的束電流密度分布；

由在所述前級束電流密度分布測量步驟中得到的束電流密度分布，進行前級中心位置計算步驟，得到在所述前級多點法拉第的所述入口位置處離子束在y方向中的中心位置y_cf；

當由所述后級葉片驅動裝置沿y方向驅動所述后級束約束葉片時，進行測量經過所述后級束約束葉片側面的外部并且入射到所述后級多點法拉第上的離子束的束電流的變化的后級束電流密度分布測量步驟，以得到在所述后級束約束葉片的位置處離子束沿y方向的束電流密度分布；

由在所述后級束電流密度分布測量步驟中得到的束電流密度分布，進行后級中心位置計算步驟，得到在所述后級束約束葉片位置處離子束在y方向中的中心位置y_cb；以及

以下面的公式為基礎，使用在所述前級中心位置計算步驟中得到的中心位置y_cf、在所述后級中心位置計算步驟中得到的中心位置y_cb、以及在所述前級多點法拉第的所述入口與所述后級束約束葉片之間的距離L，進行角度偏差計算步驟，得到離子束在y方向中的角度偏差θ_y：

θ_y＝tan^-1{(y_cb-y_cf)/L}。