[發明專利]沉浸式光刻系統的投影系統

無效

• 申請號: 200610148819.8
• 申請日: 2006-12-28
• 公開（公告）號: CN101211120A
• 公開（公告）日: 2008-07-02
• 發明（設計）人: 陳國慶;肖德元;黃曉櫓;金波
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;H01L21/027
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 逯長明

1.一種沉浸式光刻系統的投影系統，包括：

投影透鏡，用于把掩模版的圖形按比例縮小投影到半導體襯底上的高分子聚合物層；

液體池，位于投影透鏡的曝光場中，作為投影透鏡的曝光媒介；

液體供給裝置，位于投影透鏡的兩側，用于提供液體池；

氣液體噴淋裝置，位于液體供給裝置的外圍，用于形成氣體簾限制液體池的液體外流；

襯底傳送裝置，位于氣液體噴淋裝置、液體供給裝置以及液體供給裝置產生的液體池下，用于裝載和傳送半導體襯底，所述襯底傳送裝置上的半導體襯底上形成有高分子聚合物層；

其特征在于，所述氣體噴淋裝置包括輸入載流氣體的第一輸入端、輸入異丙醇氣體的第二輸入端及輸出來自第一輸入端的載流氣體和來自第二輸入端的異丙醇氣體的混合氣體的輸出端，所述載流氣體為氮氣或者惰性氣體，所述異丙醇氣體的溫度范圍為30至110℃。

2.根據權利要求1所述的沉浸式光刻系統的投影系統，其特征在于：所述載流氣體的流速為10至100升/分鐘。

3.根據權利要求2所述的沉浸式光刻系統的投影系統，其特征在于：所述異丙醇氣體的流速為0.1至1.0升/分鐘。

4.根據權利要求1所述的沉浸式光刻系統的投影系統，其特征在于：所述投影透鏡在半導體襯底上進行掃描通過移動襯底傳送裝置實現，所述襯底傳送裝置移動的速度為500至1000毫米/秒。

5.根據權利要求1所述的沉浸式光刻系統的投影系統，其特征在于：所述投影透鏡與襯底傳送裝置之間的距離為0.01至10mm。

6.根據權利要求1所述的沉浸式光刻系統的投影系統，其特征在于：所述高分子聚合物層為光刻膠、苯丙環丁烯、聚酰亞胺、聚四氟乙烯。

7.根據權利要求6所述的沉浸式光刻系統的投影系統，其特征在于：所述高分子層為光刻膠。

8.根據權利要求1所述的沉浸式光刻系統的投影系統，其特征在于：所述液體供給裝置提供的液體為水。