[發(fā)明專利]檢測接觸孔蝕刻缺陷的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200610148818.3 | 申請日： | 2006-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN101211805A | 公開（公告）日： | 2008-07-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 許向輝;閻海濱;陳思安;陳宏璘 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 逯長明 |
| 地址： | 201203*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 檢測 接觸 蝕刻 缺陷 方法 | ||
1.一種檢測接觸孔蝕刻缺陷的方法，其特征在于，包括下列步驟：
a.將晶圓分為半導體器件工作區(qū)和半導體器件虛擬區(qū)，所述半導體器件虛擬區(qū)位于半導體工作區(qū)邊緣；
b.在晶圓上形成介電層；
c.蝕刻介電層至露出晶圓，在半導體器件工作區(qū)形成接觸孔，在半導體器件虛擬區(qū)形成虛擬接觸孔；
d.將晶圓放入檢測設(shè)備，檢測虛擬接觸孔蝕刻是否完全；
e.如檢測出虛擬接觸孔蝕刻完全，檢測結(jié)束，如檢測出虛擬接觸孔蝕刻不完全，檢測離虛擬接觸孔最近的接觸孔蝕刻是否完全；
f.如檢測出接觸孔蝕刻完全，檢測結(jié)束，如檢測出接觸孔蝕刻仍不完全，由邊緣向中心依次類推檢測接觸孔蝕刻是否完全。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測接觸孔蝕刻缺陷的方法，其特征在于：檢測虛擬接觸孔的設(shè)備為電子掃描顯微鏡。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢測接觸孔蝕刻缺陷的方法，其特征在于：電子掃描顯微鏡的放大倍率為10000～15000倍。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測接觸孔蝕刻缺陷的方法，其特征在于：所述虛擬接觸孔直徑與接觸孔直徑相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的檢測接觸孔蝕刻缺陷的方法，其特征在于：所述虛擬接觸孔的數(shù)量為至少一個。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測接觸孔蝕刻缺陷的方法，其特征在于：步驟c包括：形成待曝光接觸孔圖形和待曝光虛擬接觸孔圖形；
將待曝光待曝光接觸孔圖形和待曝光虛擬接觸孔圖形轉(zhuǎn)移至光罩上，形成接觸孔圖形和虛擬接觸孔圖形；
將光罩上的接觸孔圖形和虛擬接觸孔圖形轉(zhuǎn)移至介電層上；
沿接觸孔圖形和虛擬接觸孔圖形蝕刻介電層至露出晶圓，在半導體器件工作區(qū)形成接觸孔，在半導體器件虛擬區(qū)形成虛擬接觸孔。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的檢測接觸孔蝕刻缺陷的方法，其特征在于：用圖形布局軟件形成待曝光虛擬接觸孔圖形。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的檢測接觸孔蝕刻缺陷的方法，其特征在于：用電子束寫入裝置或激光束寫入裝置將待曝光虛擬接觸孔圖形轉(zhuǎn)移至光罩上。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
