[發(fā)明專(zhuān)利]光掩模及其制作方法與圖案定義的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200610148664.8 | 申請(qǐng)日: | 2006-11-22 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101191997A | 公開(kāi)(公告)日: | 2008-06-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 丁景隆;王程麒 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 奇美電子股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G03F1/14 | 分類(lèi)號(hào): | G03F1/14;G03F7/20;B41J2/01;H01L21/027 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 | 代理人: | 陶鳳波 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光掩模 及其 制作方法 圖案 定義 方法 | ||
1.一種光掩模,包括:
光掩模基板,該光掩模基板的表面劃分為圖案區(qū)以及該圖案區(qū)之外的非圖案區(qū);
遮蔽圖案,配置于該圖案區(qū)內(nèi);以及
多個(gè)凸起件,配置于該非圖案區(qū)內(nèi),該些凸起件相對(duì)于該表面的高度大于該遮蔽圖案的厚度。
2.如權(quán)利要求1所述的光掩模,其中該些凸起件相對(duì)于該表面的高度介于30微米至150微米。
3.一種光掩模的制作方法,包括:
提供光掩模基板,該光掩模基板的表面劃分為圖案區(qū)以及該圖案區(qū)之外的非圖案區(qū);
于該光掩模基板的該圖案區(qū)內(nèi)形成遮蔽圖案;以及
于該光掩模基板的該非圖案區(qū)內(nèi)形成多個(gè)凸起件,該些凸起件相對(duì)于該表面的高度大于該遮蔽圖案的厚度。
4.如權(quán)利要求3所述的光掩模的制作方法,其中形成該些凸起件的方法包括進(jìn)行噴墨工藝。
5.如權(quán)利要求3所述的光掩模的制作方法,其中形成該些凸起件的方法包括進(jìn)行光刻工藝。
6.如權(quán)利要求3所述的光掩模的制作方法,其中形成該些凸起件的方法包括進(jìn)行貼附工藝。
7.一種圖案定義的方法,包括:
提供待定義基板,其中該待定義基板上依序配置有材料層以及光致抗蝕劑層;
提供如權(quán)利要求1所述的光掩模;
定位該待定義基板與該光掩模的相對(duì)位置;
使該光掩模的該些凸起件接觸該待定義基板;
使用該光掩模對(duì)該光致抗蝕劑層進(jìn)行曝光工藝與顯影工藝,以形成圖案化光致抗蝕劑層;以及
以該圖案化光致抗蝕劑層為掩模而圖案化該材料層。
8.如權(quán)利要求7所述的圖案定義的方法,其中在使該些凸起件接觸該待定義基板之前,還包括移除與該些凸起件的位置相對(duì)應(yīng)的部分該光致抗蝕劑層,以暴露部分該材料層。
9.如權(quán)利要求7所述的圖案定義的方法,其中在該些凸起件接觸該待定義基板后,是使該光掩模基板的該表面與該光致抗蝕劑層維持一間距,且該間距介于30微米至150微米。
10.如權(quán)利要求7所述的圖案定義的方法,其中圖案化該材料層的方法包括進(jìn)行蝕刻工藝。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專(zhuān)用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專(zhuān)門(mén)適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過(guò)帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過(guò)電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過(guò)100nm或更短波長(zhǎng)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測(cè)試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備





