[發明專利]液晶顯示裝置及驅動方法有效
| 申請號: | 200610148632.8 | 申請日: | 2006-11-20 |
| 公開(公告)號: | CN101089684A | 公開(公告)日: | 2007-12-19 |
| 發明(設計)人: | 樸貴福;崔相好 | 申請(專利權)人: | LG.菲利浦LCD株式會社 |
| 主分類號: | G02F1/133 | 分類號: | G02F1/133;G09G3/36;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 | 代理人: | 李輝 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 液晶 顯示裝置 驅動 方法 | ||
技術領域
本發明涉及液晶顯示裝置,更具體地說,涉及一種適于使閃爍和殘留圖像最小化的液晶顯示裝置及其驅動方法。
背景技術
液晶顯示裝置利用電場來控制液晶的透光率,由此顯示圖片。液晶顯示裝置根據驅動液晶的電場的位置而主要分為垂直電場施加型和水平電場施加型。
垂直電場施加型通過在上基板和下基板中的相對的公共電極與像素電極之間形成的垂直電場來驅動TN模式的液晶。垂直電場施加型液晶具有高孔徑比,但是也具有大約90°的窄視角。
水平電場施加型利用在下基板中平行設置的公共電極與像素電極之間的水平電場來驅動面內切換(下文中稱為“IPS”)型的液晶。水平電場施加型具有大約160°的寬視角以及低的孔徑比和透射率。
為了改善水平電場施加型的低孔徑比和透射率,使用由邊緣場(fringe?field)驅動的邊緣場切換(下文中稱為“FFS”)型液晶顯示裝置。FFS型液晶顯示裝置在各像素區域包括其間具有絕緣膜的像素電極和公共電極板,并將公共電極板與像素電極之間的間隙形成得比上基板與下基板之間的間隙更窄,由此形成邊緣場。通過該邊緣場來操作填充在上基板與下基板之間的空間中的液晶分子,由此提高孔徑比和透射率。
圖1是表示根據現有技術的FFS型液晶顯示裝置中的一個像素的電路圖。圖2是例示該FFS型液晶顯示裝置中包括的薄膜晶體管(TFT)基板的截面圖。
參照圖1,FFS型液晶顯示裝置包括以矩陣形式排列在數據線DL與選通線GL的交叉部分處的多個液晶單元Glc。形成在各液晶單元處的TFT響應于從選通線提供的掃描信號而將來自數據線DL的數據信號提供給液晶單元Clc。
在圖2中,FFS型液晶顯示裝置的薄膜晶體管基板包括在下基板20上隔著柵絕緣膜22被形成為交叉的選通線GL和數據線DL。在選通線GL與數據線DL的各交叉部分處形成薄膜晶體管。其間具有柵絕緣膜22和鈍化膜28地形成公共電極板14和像素電極縫(slit)18,以在交叉結構所設置的像素區域中形成邊緣場。公共線16連接到公共電極板14。
公共電極板14被形成在各像素區域中,并通過公共線16來接收驅動液晶的基準電壓(下文稱為“公共電壓Vcom”),公共線16形成在公共電極板14上并連接到公共電極板14。公共電極板14由透明導電層形成,公共線16與選通線2一起由選通金屬層形成。
薄膜晶體管TFT響應于選通線GL的選通信號,使數據線4的像素信號充入并存儲在像素電極縫18中。例如,薄膜晶體管TFT包括連接到選通線GL的柵極6。源極連接到數據線4。漏極10連接到像素電極縫18。有源層隔著柵絕緣膜22與柵極6交疊,以形成源極8與漏極10之間的溝道。歐姆接觸層26用于源極8和漏極10與有源層24之間的歐姆接觸。半導體圖案30包括有源層24和歐姆接觸層26。
像素電極縫18通過接觸孔12連接到薄膜晶體管TFT的漏極10,接觸孔12穿透與公共電極板14交疊的鈍化膜28。像素電極縫18與公共電極板14形成邊緣電場,以利用介電各向異性使液晶分子旋轉。沿水平方向將液晶分子排列在薄膜晶體管基板與濾色器基板之間。對透過像素區域的光的透射率隨液晶分子的旋轉度數而改變,由此實現灰度級。
在公共電極板14與像素電極縫18之間形成有穩定地維持提供給像素電極縫18的視頻信號的存儲電容器Cst。該存儲電容器Cst存儲處于固定電平的液晶單元Clc的電壓。
通過周期性地反轉液晶單元中充入的數據的極性的反轉方法來驅動液晶顯示裝置,以減少閃爍和殘留圖像。該反轉方法被分類為行反轉方法,在行反轉方法中,使沿垂直線方向相鄰的液晶單元之間的數據的極性反轉。列反轉方法使沿水平線方向相鄰的液晶單元之間的數據的極性反轉。點反轉方法使沿垂直線方向和水平線方向相鄰的液晶單元之間的數據的極性反轉。
在點反轉方法中,如圖3所示,提供到各相鄰液晶單元的數據的極性在垂直方向上彼此相反,提供到各相鄰液晶單元的數據的極性在水平方向上彼此相反。針對每一幀(Fn-1,Fn),反轉數據的極性。
在利用點反轉方法驅動液晶顯示裝置的過程中產生了導致閃爍和殘留圖像的饋通電壓ΔVp。
參照圖4,將選通電壓Vg提供給TFT?6的柵極8,將數據電壓Vd提供給源極10。如果將不小于TFT?6的閾值電壓的選通高壓Vgh施加給TFT?6的柵極8,則在源極10與漏極12之間形成溝道,并且通過TFT的源極10與漏極12,將數據電壓Vd充入液晶單元Clc和存儲電容器Cst。
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