[發(fā)明專利]通孔刻蝕方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200610147809.2
• 申請(qǐng)日: 2006-12-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101207036A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-06-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 程衛(wèi)華;葉彬;曾紅林
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/311
• 分類號(hào): H01L21/311;H01L21/768;H01L23/522
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 逯長(zhǎng)明

1.一種通孔刻蝕方法，包括：

在半導(dǎo)體襯底上形成通孔刻蝕基底；

執(zhí)行一各向異性刻蝕制程，在所述通孔刻蝕基底上刻蝕通孔；

沉積犧牲層，所述犧牲層填充所述通孔；

刻蝕所述犧牲層，以暴露通孔開(kāi)口；

執(zhí)行一各向同性刻蝕制程，以使所述通孔開(kāi)口具有圓角結(jié)構(gòu)；

去除所述犧牲層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的通孔刻蝕方法，其特征在于：所述各向同性刻蝕為濕法刻蝕。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的通孔刻蝕方法，其特征在于：所述刻蝕溶液為氫氟酸。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的通孔刻蝕方法，其特征在于：所述刻蝕溶液百分比濃度小于或等于2％。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的通孔刻蝕方法，其特征在于：所述犧牲層材料為ARC。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的通孔刻蝕方法，其特征在于：所述各向同性刻蝕為干法刻蝕。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的通孔刻蝕方法，其特征在于：所述犧牲層材料為光刻膠。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的通孔刻蝕方法，其特征在于：所述刻蝕氣體包括氟化碳、三氟化氫碳、八氟化三碳及/或八氟化四碳中的一種或其組合。

9.一種通孔結(jié)構(gòu)，所述通孔貫穿層間介質(zhì)層，所述通孔包含通孔開(kāi)口及通孔側(cè)壁，其特征在于：所述通孔開(kāi)口具有圓角結(jié)構(gòu)，且所述具有圓角結(jié)構(gòu)的通孔開(kāi)口與所述通孔側(cè)壁平滑連接。