[發(fā)明專利]半導體器件的制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610147805.4
• 申請日: 2006-12-22
• 公開（公告）號: CN101207085A
• 公開（公告）日: 2008-06-25
• 發(fā)明（設計）人: 王津洲;趙猛
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 逯長明

1.一種半導體器件的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供半導體襯底，半導體襯底包括核心器件區(qū)域和輸入/輸出器件區(qū)域，核心器件區(qū)域和輸入/輸出器件區(qū)域的半導體襯底上都形成有柵極介電層和位于柵極介電層上的柵極；

以柵極為掩膜，在核心器件區(qū)域和輸入/輸出器件區(qū)域的半導體襯底內進行第一離子注入；

進行快速熱退火，在核心器件區(qū)域和輸入/輸出器件區(qū)域柵極介電層兩側的半導體襯底內形成低摻雜源漏區(qū)；

在核心器件區(qū)域和輸入/輸出器件區(qū)域的柵極介電層以及柵極的側壁形成間隙壁；

以柵極和間隙壁為掩膜，在核心器件區(qū)域和輸入/輸出器件區(qū)域的半導體襯底內進行第三離子注入，形成重摻雜源漏區(qū)。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，第一離子注入之后，快速熱退火工藝之前還包括以柵極為掩膜，在核心器件區(qū)域和輸入/輸出器件區(qū)域的半導體襯底內進行第二離子注入的工藝步驟。

3.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，第一離子注入之前還包括以柵極為掩膜，在核心器件區(qū)域和輸入/輸出器件區(qū)域的半導體襯底內進行第二離子注入的工藝步驟。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述快速熱退火的退火溫度為900℃至950℃。

5.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，快速熱退火的退火時間為5至120秒。

6.根據權利要求5所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，快速熱退火的退火時間為10至30秒。

7.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，第一離子注入的注入離子為磷離子或者砷離子。

8.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，第一離子注入的工藝為：離子注入能量為2至35KeV，離子注入劑量為5E12至2E15/cm²。

9.根據權利要求2或者3所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，第二離子注入的注入離子為硼離子或者銦離子。

10.根據權利要求2或者3所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，第二離子注入的工藝為：離子注入能量為3至150KeV，離子注入劑量為1E13至9E13/cm²。

11.根據權利要求2或者3所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，第二離子注入的注入角度為0°至45°。

12.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，第三離子注入的注入離子為磷離子或者砷離子，注入能量為8至50KeV，注入劑量為1E14至7E15/cm²。

13.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述柵極為多晶硅或者多晶硅硅化物。

14.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述柵極介電層為二氧化硅或者氮氧化硅。

15.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述間隙壁為二氧化硅或者氮化硅或者氮氧化硅。