[發明專利]鑲嵌結構的制造方法有效
| 申請號： | 200610147803.5 | 申請日： | 2006-12-22 |
| 公開（公告）號： | CN101207067A | 公開（公告）日： | 2008-06-25 |
| 發明（設計）人： | 聶佳相;楊瑞鵬;康蕓 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人： | 逯長明 |
| 地址： | 201203*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 鑲嵌 結構 制造 方法 | ||
1.一種鑲嵌結構的制造方法，包括：
提供一具有金屬導線層的半導體基底；
在所述半導體基底上形成介質層，并在所述介質層中形成開口，所述開口底部露出所述金屬導線層表面；
在所述開口底部和側壁沉積第一金屬層；
去除所述開口底部的第一金屬層和所述開口底部的金屬導線層表面的氧化物；
在所述開口底部和側壁沉積第二金屬層；
在所述第二金屬層上沉積第三金屬層。
2.如權利要求1所述的鑲嵌結構的制造方法，其特征在于：所述介質層為氧化硅、氮化硅、碳化硅、磷硅玻璃、硼硅玻璃、硼磷硅玻璃、氟硅玻璃、黑鉆石中的一種或其組合。
3.如權利要求1所述的鑲嵌結構的制造方法，其特征在于：在所述介質層中形成開口的步驟如下：
在所述介質層上旋涂光刻膠層，并圖形化形成開口圖案；
通過刻蝕將所述開口圖案轉移倒所述介質層中，形成開口；
去除所述光刻膠層。
4.如權利要求1所述的鑲嵌結構的制造方法，其特征在于：所述第一金屬層和第二金屬層為鉭、氮化鉭中的一種或組合。
5.如權利要求4所述的鑲嵌結構的制造方法，其特征在于：所述第一金屬層和第二金屬層的沉積方法為物理氣相沉積、化學氣相沉積、原子層沉積、電化學沉積中的一種。
6.如權利要求1所述的鑲嵌結構的制造方法，其特征在于：去除所述開口底部的第一金屬層和所述開口底部的金屬導線層表面的氧化物的方法為干法等離子體刻蝕。
7.如權利要求1所述的鑲嵌結構的制造方法，其特征在于：在所述第二金屬層上沉積第三金屬層的方法為電鍍、化學氣相沉積中的一種。
8.如權利要求7所述的鑲嵌結構的制造方法，其特征在于：所述第三金屬層為銅。
9.一種鑲嵌結構的制造方法，包括：
提供一具有金屬導線層的半導體基底，在所述半導體基底上有形成介質層，并在所述介質層中形成有底部露出所述金屬導線層表面的開口；
在所述開口底部和側壁沉積第一金屬層；
去除所述開口底部的第一金屬層和所述開口底部的金屬導線層表面的氧化物；
在所述開口底部和側壁沉積第二金屬層；
在所述第二金屬層上沉積第三金屬層。
10.如權利要求9所述的鑲嵌結構的制造方法，其特征在于：所述等離子體為氬氣等離子體。
11.一種半導體器件，包括：
半導體基底；所述半導體基底具有金屬導線層；
形成于所述半導體基底上的介質層；
在所述介質層中具有開口，所述開口的底部露出所述金屬導線層表面；
其特征在于：所述介質層、所述開口側壁和底部覆蓋有金屬層，所述金屬層用于在等離子體刻蝕時擴散所述等離子體刻蝕氣體中的聚集電荷。
12.如權利要求11所述的半導體器件，其特征在于：所述金屬層為鉭、氮化鉭中的一種或組合。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
