[發明專利]器件隔離區的形成方法有效
| 申請號： | 200610147798.8 | 申請日： | 2006-12-22 |
| 公開（公告）號： | CN101207064A | 公開（公告）日： | 2008-06-25 |
| 發明（設計）人： | 蔡信裕;劉經國;陳榮堂;孫智江 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/762 | 分類號： | H01L21/762;H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人： | 逯長明 |
| 地址： | 201203*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 器件 隔離 形成 方法 | ||
1.一種器件隔離區的形成方法，其特征在于，包括下列步驟：
提供包含外圍電路區和存儲單元區的硅襯底；
在硅襯底上依次形成墊氧化層和氮化硅層；
蝕刻墊氧化層、氮化硅層及硅襯底，形成溝槽；
在氮化硅層上形成絕緣氧化層，并將絕緣氧化層填充滿溝槽；
研磨絕緣氧化層至露出氮化硅層；
在外圍電路區形成光刻膠；
以光刻膠為掩膜，蝕刻存儲單元區的絕緣氧化層直至與外圍電路區絕緣氧化層高度一致；
去除光刻膠、氮化硅層和墊氧化硅層，形成淺溝槽隔離結構。
2.根據權利要求1所述的器件隔離區的形成方法，其特征在于：用旋涂法形成光刻膠。
3.根據權利要求2所述的器件隔離區的形成方法，其特征在于：所述光刻膠的厚度為2500埃～3500埃。
4.根據權利要求1所述的器件隔離區的形成方法，其特征在于：蝕刻存儲單元區絕緣氧化層的方法為濕法蝕刻法。
5.根據權利要求4所述的器件隔離區的形成方法，其特征在于：濕法蝕刻采用的溶液為緩沖氫氟酸溶液，其中氟化氫和氨水的摩爾比值為49/40。
6.根據權利要求5所述的器件隔離區的形成方法，其特征在于：濕法蝕刻時間為8min～12min。
7.一種器件隔離區的形成方法，其特征在于，包括下列步驟：
提供包含外圍電路區和存儲單元區的硅襯底；
在硅襯底上依次形成墊氧化層和氮化硅層；
蝕刻墊氧化層、氮化硅層及硅襯底，形成溝槽；
在氮化硅層上形成絕緣氧化層，并將絕緣氧化層填充滿溝槽；
研磨絕緣氧化層至露出氮化硅層；
去除氮化硅層和墊氧化硅層；
在外圍電路區形成光刻膠；
以光刻膠為掩膜，蝕刻存儲單元區的絕緣氧化層直至與外圍電路區絕緣氧化層高度一致；
去除光刻膠，形成淺溝槽隔離結構。
8.根據權利要求7所述的器件隔離區的形成方法，其特征在于：用旋涂法形成光刻膠。
9.根據權利要求8所述的器件隔離區的形成方法，其特征在于：所述光刻膠的厚度為2500埃～3500埃。
10.根據權利要求7所述的器件隔離區的形成方法，其特征在于：蝕刻存儲單元區的絕緣氧化層的方法為濕法蝕刻法。
11.根據權利要求10所述的器件隔離區的形成方法，其特征在于：濕法蝕刻采用的溶液為緩沖氫氟酸溶液，其中氟化氫和氨水的摩爾比值為49/40。
12.根據權利要求11所述的器件隔離區的形成方法，其特征在于：濕法蝕刻時間為8min～12min。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
