[發(fā)明專利]減小存儲(chǔ)單元寫(xiě)入擾亂的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200610147708.5
• 申請(qǐng)日: 2006-12-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101206920A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-06-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 繆威權(quán);陳良成;鐘燦;劉鑒常
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): G11C16/10
• 分類號(hào): G11C16/10;G11C29/00
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 逯長(zhǎng)明

1.一種減小存儲(chǔ)單元寫(xiě)入擾亂的方法，其特征在于，包括下列步驟，

(1)尋找能保證存儲(chǔ)單元正常寫(xiě)入的初始寫(xiě)入條件；

(2)挑選初始寫(xiě)入條件中的一個(gè)參數(shù)作為寫(xiě)入擾亂測(cè)試的變量；

(3)至少針對(duì)該變量的兩個(gè)變量值，對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入擾亂測(cè)試；

(4)根據(jù)寫(xiě)入擾亂測(cè)試結(jié)果，得到使存儲(chǔ)單元寫(xiě)入擾亂最小的最小擾亂寫(xiě)入條件；

(5)應(yīng)用得到的最小擾亂寫(xiě)入條件作為存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入操作時(shí)的寫(xiě)入條件。

2.如權(quán)利要求1所述的減小存儲(chǔ)單元寫(xiě)入擾亂的方法，其特征在于，所述尋找能保證存儲(chǔ)單元正常寫(xiě)入的初始寫(xiě)入條件的步驟包括，

(11)測(cè)量存儲(chǔ)單元中晶體管的閾值電壓初始值；

(12)保持存儲(chǔ)單元中晶體管的源極和基極接地，對(duì)存儲(chǔ)單元中晶體管的柵極施加電壓值為10V的電壓，設(shè)定漏極電壓對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入操作；

(13)再次測(cè)量存儲(chǔ)單元中晶體管的閾值電壓；

(14)判斷存儲(chǔ)單元中晶體管的閾值電壓差值是否大于對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)單元中晶體管規(guī)格的標(biāo)稱值；

(15)如閾值電壓差值小于標(biāo)稱值，則設(shè)定的漏極電壓值不能夠使存儲(chǔ)單元正常寫(xiě)入，對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行擦除操作，使存儲(chǔ)單元中晶體管的閾值電壓降到初始值，返回步驟(12)；

(16)如閾值電壓差值達(dá)到標(biāo)稱值，則設(shè)定的漏極電壓值能夠使存儲(chǔ)單元正常寫(xiě)入，對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行擦除操作，使存儲(chǔ)單元中晶體管的閾值電壓降到初始值；

(17)記錄使存儲(chǔ)單元能夠正常寫(xiě)入的漏極電壓至少2個(gè)以及源極、基極和柵極的電壓，作為初始寫(xiě)入條件。

3.如權(quán)利要求2所述的減小存儲(chǔ)單元寫(xiě)入擾亂的方法，其特征在于，所述標(biāo)稱值是2.5V。

4.如權(quán)利要求2所述的減小存儲(chǔ)單元寫(xiě)入擾亂的方法，其特征在于，所述的使存儲(chǔ)單元能夠正常寫(xiě)入時(shí)的漏極電壓是3.6V、3.8V、4.0V、4.2V和4.4V。

5.如權(quán)利要求2所述的減小存儲(chǔ)單元寫(xiě)入擾亂的方法，其特征在于，所述的初始寫(xiě)入條件是存儲(chǔ)單元中晶體管的源極和基極接地，柵極施加10V的電壓，漏極施加3.6V、3.8V、4.0V、4.2V和4.4V的電壓。

6.如權(quán)利要求1所述的減小存儲(chǔ)單元寫(xiě)入擾亂的方法，其特征在于，所述的寫(xiě)入擾亂測(cè)試包括以下步驟，

(31)取所述變量的一個(gè)值，保持初始寫(xiě)入條件中的其他參數(shù)的值不變，對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入操作；

(32)測(cè)量并記錄寫(xiě)入擾亂；

(33)判斷是否還有未取的變量值；

若還有未取的變量值，則返回步驟(31)；

若沒(méi)有未取的變量值，則寫(xiě)入擾亂測(cè)試完成。

7.如權(quán)利要求1所述的減小存儲(chǔ)單元寫(xiě)入擾亂的方法，其特征在于，所述的最小擾亂寫(xiě)入條件是分別使得存儲(chǔ)單元寫(xiě)入擾亂最小的各個(gè)寫(xiě)入條件參數(shù)的對(duì)應(yīng)值的集合。

8.如權(quán)利要求1所述的減小存儲(chǔ)單元寫(xiě)入擾亂的方法，其特征在于，挑選初始寫(xiě)入條件中的參數(shù)源極電壓或基極電壓作為變量。

9.如權(quán)利要求8所述的減小存儲(chǔ)單元寫(xiě)入擾亂的方法，其特征在于，設(shè)定所述的源極電壓的值是斷開(kāi)、1V、1.5V和2V四個(gè)值。

10.如權(quán)利要求8所述的減小存儲(chǔ)單元寫(xiě)入擾亂的方法，其特征在于，設(shè)定所述的基極電壓的值是-1V、0V和1V三個(gè)值。