[發(fā)明專利]一種提高非揮發(fā)性存儲器數(shù)據(jù)擦除速度的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610147627.5
• 申請日: 2006-12-20
• 公開（公告）號: CN101207157A
• 公開（公告）日: 2008-06-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鐘燦;繆威權(quán);陳良成;劉鑒常
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L29/792
• 分類號: H01L29/792;H01L27/115;G11C16/14
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司
• 代理人: 王潔

1.一種提高非揮發(fā)性存儲器數(shù)據(jù)擦除速度的方法，所述的非揮發(fā)性存儲器包括襯底，形成于襯底中的源極和漏極，以及形成于襯底上方的柵極，其中，柵極和襯底之間還具有三個相疊加的絕緣層，中間一層用于捕陷電荷，兩邊的絕緣層用于鎖住中間層的電荷，其特征在于：所述的方法在數(shù)據(jù)擦除過程中在襯底上加載一負電壓。

2.如權(quán)利要求1所述的提高非揮發(fā)性存儲器數(shù)據(jù)擦除速度的方法，其特征在于：所述方法在數(shù)據(jù)擦除過程中還在源極上加載一負電壓。