[發明專利]具有高精度閾值電壓的MOS晶體管的制造方法無效
| 申請號： | 200610147577.0 | 申請日： | 2006-12-20 |
| 公開（公告）號： | CN101207039A | 公開（公告）日： | 2008-06-25 |
| 發明（設計）人： | 陳康民 | 申請（專利權）人： | 上海貝嶺股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京金信立方知識產權代理有限公司 | 代理人： | 黃威;張金海 |
| 地址： | 20023*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 高精度 閾值 電壓 mos 晶體管 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種具有高精度閾值電壓的MOS晶體管的制造方法，其特征在于：
在制作MOS晶體管之前，在該晶體管的基體表面高能量注入與該基體雜質類型相同的雜質；
高溫擴散推進所述注入的雜質以在所述基體表面形成加濃層；
在所述形成的加濃層上制造MOS晶體管。
2.如權利要求1所述的具有高精度閾值電壓的MOS晶體管的制造方法，其特征在于：注入所述雜質的劑量為1E12atoms/cm2-5E12atoms/cm2，注入能量為80kev-100kev，擴散推進注入的雜質的溫度為1150℃-1200℃，擴散推進時間為4-5小時。
3.如權利要求1或2所述的具有高精度閾值電壓的MOS晶體管的制造方法，其特征在于：注入所述雜質的劑量為1.5E12?atoms/cm2，注入能量為100kev，經1180℃的溫度對所述雜質擴散推進5小時。
4.如權利要求1所述的具有高精度閾值電壓的MOS晶體管的制造方法，其特征在于：所述加濃層的厚度為3微米-5微米。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
