[發明專利]增益自舉運算放大器

有效

• 申請號: 200610147519.8
• 申請日: 2006-12-20
• 公開（公告）號: CN101207365A
• 公開（公告）日: 2008-06-25
• 發明（設計）人: 陳美娜;朱紅衛
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H03F1/02
• 分類號: H03F1/02;H03F1/42;H03F3/45
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司
• 代理人: 顧繼光

技術領域

本發明涉及一種模擬電路，尤其是一種增益自舉運算放大器。

背景技術

高增益跨導運算放大器在CMOS模擬集成電路中的應用很廣。為了得到高增益，常用的結構是兩級運算放大器和采用增益自舉技術的運算放大器。由于兩級運算放大器中不可避免要使用頻率補償技術，使得這種結構的運算放大器的帶寬較小。采用增益自舉技術的運算放大器，包括差分電路和共源共柵自舉電路，其中差分電路分為采用N溝道結型場效應管和采用P溝道結型場效應管兩種結構，其中差分電路采用N溝道結型場效應管的增益自舉運算放大器結構如圖1所示，包括差分電路和共源共柵自舉電路，所述差分電路包括N溝道結型場效應管C1、C2和一個恒流源Ic，所述場效應管C1的源極與所述場效應管C2的源極相連接，然后通過一個恒流源Ic連接到接地端，所述恒流源Ic電流的方向由所述C1與C2的源極指向接地端；所述共源共柵自舉電路包括輔助放大器Ap和An，P溝道場效應管C3、C4、C5和C6，以及N溝道結型場效應管C7、C8、C9和C10；所述場效應管C1的漏極連接到所述場效應管C3的漏極和所述場效應管C4的漏極的其中任意一個，所述場效應管C2的漏極連接到所述場效應管C3的漏極和所述場效應管C4的漏極中的另外一個，使得所述差分電路與所述共源共柵自舉電路相連接；所述場效應管C3的源極與所述場效應管C4的源極連接到電源端；所述場效應管C3的柵極與所述場效應管C4的柵極相連接，并且作為偏置電壓Vb1端；所述場效應管C3的漏極還連接到場效應管C5的源極，所述場效應管C4的漏極還連接到場效應管C6的源極；所述場效應管C3的漏極和所述場效應管C4的漏極作為輔助放大器Ap的輸入端，所述場效應管C5的柵極和所述場效應管C6的柵極作為輔助放大器Ap的輸出端；所述場效應管C5的漏極連接到場效應管C7的漏極，所述場效應管C6的漏極連接到場效應管C8的漏極；所述場效應管C7的源極和所述場效應管C8的源極作為輔助放大器An的輸入端，所述場效應管C7的柵極和所述場效應管C8的柵極作為輔助放大器An的輸出端；所述場效應管C7的源極還連接到場效應管C9的漏極，所述場效應管C8的源極還連接到場效應管C10的漏極；所述場效應管C9的柵極與場效應管C10的柵極相連接，并且作為偏置電壓Vb4端；所述場效應管C9的源極與所述場效應管C10的源極接地。所述場效應管C1和C2的柵極分別作為輔助增益自舉運算放大器的兩個信號輸入端；所述場效應管C5的漏極和所述場效應管C6的漏極作為輔助增益自舉運算放大器的兩個信號輸出端。

所述差分電路采用P溝道結型場效應管的增益自舉運算放大器結構如圖2所示，包括差分電路和共源共柵自舉電路，所述差分電路包括P溝道結型場效應管D1、D2和一個恒流源Id，所述場效應管D1的源極與所述場效應管D2的源極相連接，然后通過一個恒流源Id連接到電源端，所述恒流源Id電流的方向由電源端指向所述D1與D2的源極；所述共源共柵自舉電路包括輔助放大器Ap和An，P溝道場效應管C3、C4、C5和C6，以及N溝道結型場效應管C7、C8、C9和C10；所述場效應管D1的漏極連接到所述場效應管C9的漏極和所述場效應管C10的漏極的其中任意一個，所述場效應管D2的漏極連接到所述場效應管C9的漏極和所述場效應管C10的漏極中的另外一個，使得所述差分電路與所述共源共柵自舉電路相連接；所述共源共柵自舉電路的其它結構與所述差分電路采用N溝道結型場效應管的增益自舉運算放大器中的共源共柵自舉電路的結構相同。所述場效應管D1和D2的柵極分別作為輔助增益自舉運算放大器的兩個信號輸入端；所述場效應管C5的漏極和所述場效應管C6的漏極作為輔助增益自舉運算放大器的兩個信號輸出端。