[發明專利]MOS器件結構及其制造方法

無效

• 申請號: 200610147451.3
• 申請日: 2006-12-14
• 公開（公告）號: CN101202247A
• 公開（公告）日: 2008-06-18
• 發明（設計）人: 洪中山;蒲賢勇
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/822
• 分類號: H01L21/822;H01L21/8234;H01L21/8238
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 徐謙;楊紅梅

1.一種用于制造集成電路器件的方法，所述方法包括：

提供半導體襯底，所述襯底包括第一器件區和第二器件區；

在所述第一器件區與所述第二器件區之間形成溝槽隔離結構；

形成位于所述第一器件區和所述第二器件區上的柵極多晶硅層；

形成位于所述柵極多晶硅層上的硅化物層；

將所述硅化物層和柵極多晶硅層圖案化，以形成所述第一器件區中的第一硅化物柵極結構和所述第二器件區中的第二硅化物柵極結構；

形成所述第一硅化物柵極結構上的第一側墻結構和所述第二硅化物柵極結構上的第二側墻結構；

形成位于所述第二硅化物柵極結構和所述第二器件區的暴露部分上的阻擋層；

形成位于與所述第一硅化物柵極結構有關的第一源極區和第一漏極區上的硅化物材料；

使用阻擋層，保持與所述第二硅化物柵極結構有關的第二源極區和第二漏極區沒有任何的硅化物；以及

剝離所述氧化物阻擋層，以暴露所述第二源極區和所述第二漏極區。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述阻擋層包括氧化物層。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述阻擋層包括TEOS氧化物。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一硅化物柵極結構是所述第一器件區中的多個柵極結構中的一個。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述第二硅化物柵極結構是所述第二器件區中的多個柵極結構中的一個。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述第二硅化物柵極結構用于CMOS圖像傳感器。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一硅化物柵極結構的特征在于0.18微米或者更小的設計規格。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述阻擋層包括至少200埃的TEOS材料。

9.根據權利要求1所述的方法，其中所述硅化物層選自鈦、鈷、鎢或者鎳。

10.根據權利要求1所述的方法，其中所述剝離包括使所述阻擋層經過含氟物質的處理。

11.根據權利要求10所述的方法，其中所述含氟物質是氫氟酸或者緩沖氫氟酸。

12.根據權利要求10所述的方法，其中所述含氟物質得自等離子體環境。

13.根據權利要求1所述的方法，其中所述硅化物材料選自鈦、鈷或者鎳。

14.一種用于制造集成電路器件的方法，所述方法包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底包括第一器件區和第二器件區；

在所述第一器件區與所述第二器件區之間形成溝槽隔離結構；

形成位于所述第一器件區和所述第二器件區上的柵極多晶硅層；

形成位于所述柵極多晶硅層上的硅化物層；

將所述硅化物層和柵極多晶硅層圖案化，以形成所述第一器件區中的第一硅化物柵極結構和所述第二器件區中的第二硅化物柵極結構；

形成所述第一硅化物柵極結構上的第一側墻結構和所述第二硅化物柵極結構上的第二側墻結構；

形成位于所述第二硅化物柵極結構和所述第二器件區的暴露部分上的阻擋層；

形成位于與所述第一硅化物柵極結構有關的第一源極區和第一漏極區上的硅化物材料；

使用阻擋層，保持與所述第二硅化物柵極結構有關的第二源極區和第二漏極區沒有任何的硅化物；以及

剝離所述氧化物阻擋層，以暴露所述第二源極區和所述第二漏極區，從而形成包括所述硅化物第一源極區和所述硅化物第一漏極區的所述第一硅化物柵極結構，并形成包括所述第二源極區和所述第二漏極區的所述第二硅化物柵極結構。

15.根據權利要求14所述的方法，其中所述阻擋層包括氧化物層。

16.根據權利要求14所述的方法，其中所述阻擋層包括TEOS氧化物。

17.根據權利要求14所述的方法，其中所述第一硅化物柵極結構是在所述第一器件區中的多個柵極結構中的一個。

18.根據權利要求14所述的方法，其中所述第二硅化物柵極結構是在所述第二器件區中的多個柵極結構中的一個。

19.根據權利要求14所述的方法，其中所述第二硅化物柵極結構用于CMOS圖像傳感器。