[發明專利]凸點的形成方法無效
| 申請號： | 200610147430.1 | 申請日： | 2006-12-18 |
| 公開（公告）號： | CN101207046A | 公開（公告）日： | 2008-06-25 |
| 發明（設計）人： | 靳永剛 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/60 | 分類號： | H01L21/60;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人： | 逯長明 |
| 地址： | 201203*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 形成 方法 | ||
1.一種凸點的形成方法，其特征在于，包括：
提供半導體襯底；
在半導體襯底上形成金屬墊層和鈍化層，所述金屬墊層鑲嵌于鈍化層中，且通過鈍化層的第一開口暴露出金屬墊層，所述鈍化層為高分子聚合物；
在鈍化層及其第一開口內形成金屬層；
在金屬層上形成光刻膠，定義出金屬墊層形狀，形成第二開口，暴露出金屬層；
在第二開口內、金屬層上依次形成電鍍籽晶層和凸點層；
去除光刻膠；
蝕刻金屬層，形成凸點下金屬層，暴露出鈍化層；
采用反應離子刻蝕裝置產生的等離子體灰化處理鈍化層；
形成成凸點。
2.根據權利要求1所述的凸點的形成方法，其特征在于：所述反應離子刻蝕裝置中通入氣體為氧氣或氫氣，產生氧等離子體或氫等離子體，所述氣體的流量為100至500sccm。
3.根據權利要求2所述的凸點的形成方法，其特征在于：產生等離子體的功率為100至750W，所述反應離子刻蝕裝置中壓強范圍為1.3×101至1.33×102Pa。
4.根據權利要求2所述的凸點的形成方法，其特征在于：等離子體灰化處理時間范圍為15至120s，等離子體灰化處理溫度為25至90℃。
5.根據權利要求1所述的形成凸點的方法，其特征在于：所述鈍化層為聚酰亞胺。
6.一種凸點的形成方法，其特征在于，包括：
提供半導體襯底；
在半導體襯底上形成金屬墊層和鈍化層，所述金屬墊層鑲嵌于鈍化層中，且通過鈍化層的第一開口暴露出金屬墊層，所述鈍化層依次由第一鈍化層和第二鈍化層組成，所述第二鈍化層為高分子聚合物；
在鈍化層及其第一開口內形成金屬層；
在金屬層上形成光刻膠，定義出金屬墊層形狀，形成第二開口，暴露出金屬層；
在第二開口內、金屬層上依次形成電鍍籽晶層和凸點層；
去除光刻膠；
蝕刻金屬層，形成凸點下金屬層，暴露出第二鈍化層；
采用反應離子刻蝕裝置產生的等離子體灰化處理鈍化層；
形成凸點。
7.根據權利要求6所述的凸點的形成方法，其特征在于：所述反應離子刻蝕裝置中通入氣體為氧氣或氫氣，產生氧等離子體或氫氣的等離子體，所述氣體的流量為100至500sccm。
8.根據權利要求7所述的凸點的形成方法，其特征在于：產生等離子體的功率為100至750W，所述反應離子刻蝕裝置中壓強范圍為1.3×101至1.33×102Pa。
9.根據權利要求7所述的凸點的形成方法，其特征在于：等離子體灰化處理時間范圍為15至120s，等離子體灰化處理溫度為25至90℃。
10.根據權利要求6所述的凸點的形成方法，其特征在于：所述鈍化層為聚酰亞胺。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
