[發明專利]淺溝槽隔離的形成方法

無效

• 申請號: 200610147429.9
• 申請日: 2006-12-18
• 公開（公告）號: CN101207063A
• 公開（公告）日: 2008-06-25
• 發明（設計）人: 何有豐;白杰;樸松源
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 逯長明

1.一種淺溝槽隔離的形成方法，包括：

提供一具有溝槽的半導體襯底；

在所述溝槽的底部和側壁形成襯墊氧化層并原位進行退火；

在所述溝槽中填充絕緣物質。

2.如權利要求1所述的淺溝槽隔離的形成方法，其特征在于，在所述溝槽的底部和側壁形成襯墊氧化層并原位進行退火的步驟如下：

將所述半導體襯底暴露于氧氣氣氛中，執行氧化工藝；

停止執行氧化工藝；

在真空或惰性氣體環境中原位對所述半導體襯底執行退火工藝。

3.如權利要求2所述的淺溝槽隔離的形成方法，其特征在于：所述惰性氣體為氮氣。

4.如權利要求2所述的淺溝槽隔離的形成方法，其特征在于：所述氧化工藝在800至1100度的溫度下進行。

5.如權利要求2所述的淺溝槽隔離的形成方法，其特征在于：所述氧化工藝為干氧氧化、濕氧氧化中的一種。

6.如權利要求2所述的淺溝槽隔離的形成方法，其特征在于：所述退火在900至1300度的溫度下進行。

7.如權利要求2所述的淺溝槽隔離的形成方法，其特征在于：所述退火的時間為60至400分鐘。

8.如權利要求1所述的淺溝槽隔離的形成方法，其特征在于：在所述溝槽的底部和側壁形成襯墊氧化層并原位進行退火的步驟在氧化爐或快速熱退火裝置中進行。

9.如權利要求1所述的淺溝槽隔離的形成方法，其特征在于：在所述溝槽中填充絕緣物質的方法為低壓化學氣相沉積、常壓化學氣相沉積、高密度等離子體化學氣相沉積中的一種。

10.如權利要求1所述的淺溝槽隔離的形成方法，其特征在于：該方法進一步包括化學機械平坦化的步驟。

11.如權利要求1所述淺溝槽隔離的形成方法，其特征在于，所述溝槽的形成步驟如下：

在半導體襯底上形成氧化層；

在所述氧化層上形成硬掩膜層；?

在所述硬掩膜層上旋涂光刻膠層，并圖形化形成溝槽圖案；

刻蝕去除所述溝槽圖案底部的硬掩膜層和氧化層，在所述硬掩膜層和氧化層中形成開口；

刻蝕所述開口底部的半導體襯底，在所述半導體襯底中形成溝槽；

去除所述光刻膠層。

12.一種淺溝槽隔離的形成方法，包括：

在半導體襯底上依次成氧化層和硬掩膜層；

在所述硬掩膜層上旋涂光刻膠層，并圖形化形成溝槽圖案；

刻蝕去除所述溝槽圖案底部的硬掩膜層和氧化層，在所述硬掩膜層和氧化層中形成開口；

刻蝕所述開口底部的半導體襯底，在所述半導體襯底中形成溝槽；

去除所述光刻膠層；

將所述半導體襯底暴露于氧氣氣氛中，執行氧化工藝，在所述溝槽中形成襯墊氧化層；

停止執行氧化工藝；

在真空或惰性氣體環境中原位對所述半導體襯底執行退火工藝；

在所述溝槽中填充絕緣物質。