[發明專利]量測多晶硅線底部形狀的方法

無效

• 申請號: 200610147393.4
• 申請日: 2006-12-15
• 公開（公告）號: CN101202235A
• 公開（公告）日: 2008-06-18
• 發明（設計）人: 杜珊珊;黃怡;張海洋;馬擎天
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;G01B21/20
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司
• 代理人: 王潔

技術領域

本發明涉及半導體制造工藝，具體地說，涉及一種量測多晶硅線底部形狀的方法。

背景技術

隨著電子設備的尺寸日益減小，多晶硅線底部的形狀對電子設備的影響越來越大。有效地監控多晶硅線底部的形狀可以保證電子設備更為優異及一致的性能。傳統的特征尺寸掃描電子顯微鏡(CD-SEM)中采用非破損(Nondestructive)方法不能精確的獲取多晶硅線底部的信息。如果采用掃描電子顯微鏡和透射電子顯微鏡(SEM&TEM)量測，需要對多晶硅進行切割，并通過對切割后多晶硅線截面的分析以獲取多晶硅線底部的信息，這種方法會對多晶硅本身造成物理損傷，而且所需要的時間也比較長。

發明內容

本發明的目的在于提供一種量測多晶硅線底部形狀的方法，利用該方法可以有效量測多晶硅底部的形狀。

為實現上述目的，本發明提供一種量測多晶硅線底部形狀的方法，其包括如下步驟：a.捕獲多晶硅線底部上的形狀，并將捕獲到的多晶硅線從上到下劃分為第一部分和第二部分；b.通過量測獲取第一部分底部的寬度參數和第二部分底部的寬度參數；c.對比兩個寬度參數差值。

與現有技術相比，本發明的量測方法不會對多晶硅表面造成損傷，并可以有效且精確獲取多晶硅底部的形狀。

附圖說明

通過以下對本發明一實施例結合其附圖的描述，可以進一步理解其發明的目的、具體結構特征和優點。其中，附圖為：

圖1為本發明多晶硅線的底部形狀的示意圖。

具體實施方式

在本發明較佳實施例中，利用OCD(光學特征尺寸測量)可以模擬出多晶硅線底部的形狀，圖1是本發明多晶硅線的底部形狀的示意圖。首先將捕獲到多晶硅線底部的形狀從上到下劃分為兩個部分：第一部分21是多晶硅線底部的上半部分，第一部分21的特征尺寸不會發生變化，第二部分22是多晶硅線底部的下半部分，其最容易出現一些凹陷或是斜腳。然后通過量測獲取第一部分21底部211的寬度參數和第二部分22底部221的寬度參數，對比兩個寬度參數差值，即可以判斷出多晶硅線底部的形狀是否發生了變化。

如果第一部分21底部211的寬度大于第二部分22底部221的寬度，則說明第二部分21底部221出現了凹陷；如果第一部分21底部211的寬度小于第二部分22底部221的寬度，則說明第二部分21底部221出現了斜角。

本發明提供的量測方法不僅適用于現有的半導體制程，也適用于65nm以下的半導體制程。