[發明專利]硅片圖形缺陷在線檢測方法

無效

• 申請號: 200610147327.7
• 申請日: 2006-12-15
• 公開（公告）號: CN101201328A
• 公開（公告）日: 2008-06-18
• 發明（設計）人: 張可鋼;龔新軍
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: G01N23/18
• 分類號: G01N23/18;G01R31/305
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司
• 代理人: 顧繼光

技術領域

本發明涉及一種硅片圖形缺陷在線檢測方法，尤其涉及一種對在硅片的每一個芯片上都會重復出現的缺陷在線檢測方法。

背景技術

目前，在半導體制造工藝中對硅片圖形的缺陷檢測一般都采用硅片相鄰芯片進行比較的方法來實現的，但是當圖形通過光刻工藝從掩膜板印刷到硅片上時，一些違反設計規則的圖形在工藝窗口不足的時候，會產生缺陷，由于這種缺陷會在硅片的每一個芯片上重復出現，致使采用現有的檢測方法無法檢查出這種缺陷。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供一種硅片圖形缺陷在線檢測方法，可對硅片的每一片芯片上重復出現的缺陷進行檢測。

為解決上述技術問題，本發明提供了一種硅片圖形缺陷在線檢測方法，包括：

采用電子束掃描的方法獲取芯片上的當層圖形；

將所述當層圖形與掩膜板或版圖的圖形進行對比。

本發明由于采用了上述技術方案，具有這樣的有益效果，即通過用電子束掃描的方法獲取芯片上的當層圖形，然后與版圖圖形或經過OPC模擬的掩膜板圖形進行比較，從而可對硅片的每一片芯片上重復出現的缺陷進行檢測，這種方法易于實施，而且優化了光刻工藝條件，根除了缺陷，提高了成品率。

附圖說明

下面結合附圖與具體實施方式對本發明作進一步詳細的說明：

圖1是對一硅片芯片采用電子束掃描的方法獲取的當層圖形示意圖；

圖2是圖1所示硅片芯片的掩膜板圖形示意圖；

圖3是圖2所示掩膜板圖形經OPC模擬后的示意圖。

具體實施方式

本發明所述方法是通過以下步驟來實現的：

首先，采用電子束掃描的方法獲取芯片上的當層圖形。采用電子束掃描的方式是因為一般的光學原理的掃描機臺，不管是亮場的還是暗場的，都有很強的前層圖形干擾，這對于不能分辨當層信號和前層信號的圖形來說，根本無法有效的和掩膜板或版圖去做比較。

然后，將所取得的當層圖形與掩膜板或版圖的圖形進行對比。如果以版圖圖形作為對比圖形，由于電子束掃描所得的當層圖形有可能是不同層疊加后圖形，如在硅柵刻蝕后可以同時看到硅柵的圖形和有源區的圖形，因此這時就需要選取不同層疊加后的版圖圖形來作為對比圖形。如果以掩膜板圖形作為對比圖形，那么由于光學鄰近效應的存在，需首先對所述掩膜板圖形進行OPC(光學鄰近效應修正)模擬，然后再用模擬后的圖形作為對比圖形來與掃描后的硅片圖形進行比較。

下面以一具體的實施例來說明本發明所述方法的效果。如圖1所示，首先將某一硅片芯片采用電子束掃描的方法獲取該芯片上的當層圖形，具體如圖1所示；然后，對該芯片的掩膜板圖形(見圖2)進行OPC模擬去除光學鄰近效應，經OPC模擬后的掩膜板圖形如圖3所示。將圖3與圖1進行比較，可很明顯地看出圖1圓圈內的地方存在著缺陷。