[發明專利]磁性存儲裝置有效
| 申請號： | 200610147055.0 | 申請日： | 2006-11-14 |
| 公開（公告）號： | CN101067967A | 公開（公告）日： | 2007-11-07 |
| 發明（設計）人： | 伊藤顯知;高橋宏昌;河原尊之;竹村理一郎 | 申請（專利權）人： | 株式會社日立制作所 |
| 主分類號： | G11C11/15 | 分類號： | G11C11/15 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識產權代理有限公司 | 代理人： | 許靜 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 磁性 存儲 裝置 | ||
1.一種寫入磁性存儲裝置的方法，該磁性存儲裝置包括第一(31；201) 和第二(49；217)引腳，和所述引腳之間設置的磁阻多層結構(37；207； 247；255)，所述多層結構呈現出相對較高的第一阻態和相對較低的第二阻態， 該多層結構響應于給定持續時間和量值的脈沖可由第一阻態切換至第二阻 態，該脈沖量值為一電流閾值，該電流閾值是切換該多層結構所需的最小電 流值且其基于該脈沖的持續時間，所述方法包括：
將小于閾值電流值的第一量值的電流通過該多層結構，其持續時間小于 給定持續時間；和
增加通過該多層結構的電流，從而通過小于所述閾值電流值的較高量值 的第二電流。
2.根據權利要求1所述的方法，其中將電流通過該多層結構(37；207； 247；255)包括：
將所述閾值電流值0.1至0.5倍之間的第一量值的電流通過該多層結構。
3.根據權利要求1所述的方法，其中將第一量值的電流通過該多層結構 (37；207；247；255)包括：
將電流通過該多層結構，其持續時間為給定持續時間的0.1至0.4倍之間。
4.根據權利要求3所述的方法，其中該給定持續時間小于10ns。
5.根據權利要求1所述的方法，其中將第一量值的電流通過該多層結構 (37；207；247；255)包括：
在持續時間內以固定強度將電流通過該多層結構。
6.根據權利要求1所述的方法，其中將電流通過該多層結構(37；207； 247；255)包括：
將小于所述閾值電流值的第一量值的電流通過該多層結構，其持續時間 在1ns和2ns之間。
7.根據權利要求1所述的方法，其中增加電流包括：
增加電流至所述閾值0.3至0.5倍之間的第二量值。
8.根據權利要求1所述的方法，其中增加電流包括：
增加電流至預定的強度，并在小于給定持續時間的一周期內將電流保持 在該強度。
9.根據權利要求1所述的方法，其中增加電流包括：
增加電流至預定的強度，并在處于給定持續時間的0.1至0.4倍之間的一 周期內將電流保持在該強度。
10.根據權利要求9所述的方法，其中該給定持續時間小于10ns。
11.根據權利要求1所述的方法，其中增加電流包括：
增加電流至預定的強度，并保持電流在固定的強度上。
12.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：
將電流從所述較高量值的第二電流的強度降為基準電流強度。
13.根據權利要求1所述的方法，其中該切換多層結構需要的電流閾值I 是：
I＝Ic0(1+C·tp-1)
其中Ic0是DC閾值電流，為切換多層結構需要的最小DC電流，C是常 數，tp是脈沖的持續時間。
14.一種存儲器，其包括：
磁性存儲裝置，其包括
第一(31；201)和第二(49；217)引腳；
所述引腳之間設置的磁阻多層結構(37；207；247；255)，所述多層結 構呈現出相對較高的第一阻態和相對較低的第二阻態，該多層結構響應于給 定持續時間和量值的脈沖可由第一阻態切換至第二阻態，該脈沖量值為一電 流閾值，該電流閾值是切換該多層結構所需的最小電流值且其基于該脈沖的 持續時間；和
控制該磁性存儲裝置的電路，其配置成執行前述任一權利要求的方法。
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