[發明專利]對閃存器件進行編程的方法

有效

• 申請號: 200610145272.6
• 申請日: 2006-11-24
• 公開（公告）號: CN101071642A
• 公開（公告）日: 2007-11-14
• 發明（設計）人: 李珉圭
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 楊生平;楊紅梅

1.一種對閃存器件進行編程的方法，包括：

在所選存儲器單元上執行編程和編程驗證；以及

如果作為所述編程驗證的結果被成功編程的單元是連接到最后字線的單元，則執行再編程。

2.如權利要求1的方法，其中通過將編程電壓施加到連接到所述所選單元的字線并將通過電壓施加到連接到未選單元的字線來執行所述編程。

3.如權利要求1的方法，其中通過將接地電壓施加到連接到所述所選單元的位線并將電源電壓施加到連接到未選單元的位線來執行所述編程。

4.如權利要求1的方法，其中通過將驗證電壓施加到連接到所述所選單元的字線并將電源電壓施加到未連接到所述所選單元的字線來執行所述編程驗證。

5.如權利要求4的方法，其中通過將低于所述電源電壓的電壓施加到連接到所述所選單元的位線并將接地電壓施加到連接到所述未選單元的位線來執行所述編程驗證。

6.如權利要求4的方法，其中所述驗證電壓低于所述電源電壓。

7.如權利要求6的方法，其中所述驗證電壓是在0到1V的范圍中。

8.如權利要求1的方法，其中通過經所述最后字線來施加再編程電壓并經除所述最后字線之外的字線來施加電源電壓而執行所述再編程。

9.如權利要求8的方法，其中所述再編程電壓大于或等于在所述編程驗證時的電壓。

10.如權利要求8的方法，其中所述再編程電壓在1到1.5V的范圍中。

11.如權利要求8的方法，其中通過向連接到所述所選單元的位線施加電壓并將接地電壓施加到未連接到所述所選單元的位線來執行所述再編程。

12.如權利要求11的方法，其中施加到連接到所述所選單元的所述位線的所述電壓高于所述電源電壓。

13.如權利要求11的方法，其中施加到連接到所述所選單元的所述位線的所述電壓是5V。

14.如權利要求1的方法，其中所述再編程執行150μs或更少。

15.一種對閃存器件進行編程的方法，包括：

通過經所選單元的字線來施加編程電壓而執行編程；

驗證其上已經執行所述編程的所述單元的編程狀態；

對作為所述驗證的結果沒有被成功編程的單元重復執行所述編程同時增加所述編程電壓；以及

如果作為所述驗證的結果被成功編程的單元連接到最后字線，則經由所述最后字線來施加再編程電壓并經位線來施加電壓而執行再編程。