[發(fā)明專利]非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的低氫濃度電荷捕獲層結(jié)構(gòu)及其形成方法無效

申請(qǐng)?zhí)枺?/td>	200610145178.0	申請(qǐng)日：	2006-11-15
公開（公告）號(hào)：	CN1967794A	公開（公告）日：	2007-05-23
發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：	施彥豪;吳旻達(dá);李士勤;謝榮裕;賴二琨;謝光宇	申請(qǐng)（專利權(quán)）人：	旺宏電子股份有限公司
主分類號(hào)：	H01L21/336	分類號(hào)：	H01L21/336;H01L21/28;H01L21/31;H01L21/8247;H01L29/792;H01L29/51;H01L27/115
代理公司：	中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司	代理人：	湯保平
地址：	臺(tái)灣省新竹***	國省代碼：	中國臺(tái)灣;71
權(quán)利要求書：	查看更多	說明書：	查看更多
摘要：
搜索關(guān)鍵詞：	揮發(fā)性存儲(chǔ)器濃度電荷捕獲結(jié)構(gòu) 及其形成方法
鉆瓜網(wǎng) 技術(shù)展會(huì) 專利詞庫專利權(quán)人專利榜在售專利公布日期熱門專利

【說明書】：

下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會(huì)員可以免費(fèi)下載。

免登錄下載普通用戶下載升級(jí)VIP會(huì)員，免費(fèi)下載

該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于旺宏電子股份有限公司，未經(jīng)旺宏電子股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】

本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200610145178.0/2.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。

同類專利

專利分類

H 電學(xué)

H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造

免登錄下載普通用戶下載升級(jí)VIP會(huì)員，免費(fèi)下載

專利文獻(xiàn)下載

說明：

1、專利原文基于中國國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局專利說明書；

2、支持發(fā)明專利、實(shí)用新型專利、外觀設(shè)計(jì)專利（升級(jí)中）；

3、專利數(shù)據(jù)每周兩次同步更新，支持Adobe PDF格式；

4、內(nèi)容包括專利技術(shù)的結(jié)構(gòu)示意圖、流程工藝圖或技術(shù)構(gòu)造圖；

5、已全新升級(jí)為極速版,下載速度顯著提升！歡迎使用！

請(qǐng)您登陸后，進(jìn)行下載，點(diǎn)擊【登陸】【注冊(cè)】