[發(fā)明專利]具有準(zhǔn)自對(duì)準(zhǔn)源極/漏極FinFET的半導(dǎo)體器件及其形成方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200610144540.2 | 申請(qǐng)日： | 2006-11-10 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN1967812A | 公開（公告）日： | 2007-05-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | E·J·諾瓦克;T·盧德維格;M·艾昂;歐陽(yáng)齊慶 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/84 | 分類號(hào)： | H01L21/84;H01L21/8234;H01L21/336;H01L27/12;H01L27/088;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務(wù)所 | 代理人： | 于靜;李崢 |
| 地址： | 美國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 美國(guó);US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 對(duì)準(zhǔn) 漏極 finfet 半導(dǎo)體器件 及其 形成 方法 | ||
【說(shuō)明書】：
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
- 對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記,對(duì)準(zhǔn)方法和對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)
- 對(duì)準(zhǔn)裝置及對(duì)準(zhǔn)方法
- 對(duì)準(zhǔn)裝置、用于這樣的對(duì)準(zhǔn)裝置的對(duì)準(zhǔn)元件和對(duì)準(zhǔn)方法
- 對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記及其對(duì)準(zhǔn)方法
- 對(duì)準(zhǔn)裝置和對(duì)準(zhǔn)方法
- 對(duì)準(zhǔn)裝置及對(duì)準(zhǔn)方法
- 使用物理對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和虛擬對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)
- 使用物理對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和虛擬對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)
- 對(duì)準(zhǔn)裝置和對(duì)準(zhǔn)方法
- 對(duì)準(zhǔn)裝置及對(duì)準(zhǔn)方法
