[發明專利]提高熱光通信器件響應速度的測試方法及驅動電路無效
| 申請號: | 200610144301.7 | 申請日: | 2006-12-01 |
| 公開(公告)號: | CN101192884A | 公開(公告)日: | 2008-06-04 |
| 發明(設計)人: | 李運濤;陳少武;余金中 | 申請(專利權)人: | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號: | H04B10/02 | 分類號: | H04B10/02 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人: | 湯保平 |
| 地址: | 100083北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 提高 光通信 器件 響應 速度 測試 方法 驅動 電路 | ||
技術領域
本發明涉及一種可以提高熱光通信器件響應速度的測試方法及驅動電路,特別是可以應用于采用馬赫-曾德爾干涉儀結構的熱光通信芯片的測試以及驅動。
背景技術
密集波分復用(DWDM)技術是解決寬帶、大容量光纖網絡通信的一種有效方法。熱光通信器件是構造DWDM系統的關鍵部件。然而由于材料特性的限制,目前的熱光通信器件的速度都在微秒量級甚至更低。這將是制約熱光通信器件在未來的光纖通信系統中應用的一個重要方面。在熱光通信器件的生產以及測試中,目前常用的控制方式是施加一個定值的驅動電壓或者電流脈沖來實現狀態的切換。這種測試方式不能夠有效地提高熱光通信器件的響應速度。
發明內容
本發明的目的在于,提供一種可以提高熱光通信器件響應速度的測試方法以及驅動電路,其具有成本低、操作簡單、速度快、有效提高器件響應速度的優點。
根據上述目的一種提高熱光通信器件響應速度的驅動電路,其特征在于,包括:
一輸入信號緩存電路,用以接收路由信號;
一信號采樣電路,該信號采樣電路的輸入端與輸入信號緩存電路的輸出端連接,用以對輸入路由信號進行采樣;
一信號處理電路,該信號處理電路的輸入端與信號采樣電路的輸出端連接,用以處理采樣的路由信號,確定熱光通信器件單元的工作狀態;
一輸出信號緩存電路,該輸出信號緩存電路的輸入端與信號處理電路的輸出端連接,用以存儲信號處理電路輸出信號;
一熱光通信芯片驅動電路,該熱光通信芯片驅動電路的輸入端與輸出信號緩存電路的輸出端連接,用以從輸出緩存中讀取數據信號并驅動熱光通信芯片工作;
以上所述的電路集成于一高速印刷電路板上。
其中所述的電路采用的器件均為標準的TTL或CMOS接口器件,其供電方式是采用直流電源供電或電池供電,或采取計算機USB口供電。
其中輸入輸出信號緩存電路和輸出信號緩存電路是采用隨機存儲器或閃存或者是FPGA內部的高速RAM構成。
其中信號采樣電路和信號處理電路是分立的電路或是現場可編程門陣列以及集成電路。
其中所述的熱光通信器件驅動電路為不同芯片單元提供不同的驅動電流,從而使各芯片單元處于最佳消光狀態。
其中所述的熱光通信器件驅動電路提供的驅動電流大小可以調節。
本發明一種提高熱光通信器件響應速度的測試方法,其特征在于,包括如下步驟:
步驟1:從零開始逐步加大驅動電流,測出熱光通信器件的特性曲線;
步驟2:根據特性曲線得到熱光通信器件最佳驅動電流;
步驟3:采用三個電流源同時驅動,三個電流源的信號波形分別為:
電流源A:最大值為步驟2所得到的最佳驅動電流的脈沖或者方波;
電流源B:上升沿和電流源A上升沿重合的窄脈沖;
電流源C:上升沿與電流源A下降沿重合的窄脈沖;
其中電流源B和電流源C的脈沖寬度和強度均可調。
步驟4:調整電流源B的脈沖寬度和強度,同時觀測響應速度上升沿曲線,得到最快上升速度;
步驟5:調整電流源C的脈沖寬度和強度,同時觀測響應速度下降沿曲線,得到最快下降速度。
附圖說明
為進一步說明本發明的內容及特點,以下結合附圖及實施例對本發明作一詳細的描述,其中:
圖1是本發明驅動電路的方框圖。
圖2是本發明一實施例的驅動電路原理圖。
圖3是本發明進行熱光通信芯片響應特性測量時的工作流程示意圖。
圖4是三個信號發生器的波形示意圖。
具體實施方式
請參閱圖1所示,本發明一種提高熱光通信器件響應速度的驅動電路,包括:
一輸入信號緩存電路1,用以接收路由信號;
一信號采樣電路2,該信號采樣電路2的輸入端與輸入信號緩存電路1的輸出端連接,用以對輸入路由信號進行采樣;
一信號處理電路3,該信號處理電路3的輸入端與信號采樣電路2的輸出端連接,用以處理采樣的路由信號,確定熱光通信器件單元的工作狀態;
其中信號采樣電路2和信號處理電路3是分立的電路或是現場可編程門陣列以及集成電路;
一輸出信號緩存電路4,該輸出信號緩存電路4的輸入端與信號處理電路3的輸出端連接,用以存儲信號處理電路輸出信號;
其中輸入輸出信號緩存電路1和輸出信號緩存電路4是采用隨機存儲器或閃存或者是FPGA內部的高速RAM構成;
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院半導體研究所,未經中國科學院半導體研究所許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200610144301.7/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





