[發明專利]電感器結構及集成電路結構

無效

• 申請號: 200610143598.5
• 申請日: 2006-11-09
• 公開（公告）號: CN101179072A
• 公開（公告）日: 2008-05-14
• 發明（設計）人: 陳志華
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/04
• 分類號: H01L27/04
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種電感器結構，位于半導體基底中，該半導體基底包括最上層的內連線位于第一介電層中、第二介電層位于第一介電層的下方、及至少一介層洞位于第二介電層中而填有介層插塞與該最上層的內連線電連接，該電感器結構包括：

第一導電層，螺旋狀，位于第一介電層中，包括與該最上層的內連線相同的材料；及

第二導電層，填入于位于第二介電層中的溝渠狀開口中，位于第一導電層下方，以頂部與第一導電層底部連接，具有與該螺旋狀相同的形狀，并包括與該介層插塞相同的材料。

2.如權利要求1所述的電感器結構，其中，第一導電層及第二導電層是由雙鑲嵌工藝所制得而為一整體。

3.如權利要求2所述的電感器結構，其中，第一導電層及第二導電層包括銅，以及，阻障層位于第一導電層與第一介電層之間及第二導電層與第二介電層之間。

4.如權利要求1所述的電感器結構，其中第一介電層及第二介電層形成為單一的介電層。

5.如權利要求1所述的電感器結構，其中，該第一介電層與該第二介電層之間具有蝕刻停止層。

6.如權利要求1所述的電感器結構，其中，第一導電層及第二導電層包括鋁。

7.如權利要求1所述的電感器結構，其中，第一導電層包括銅，及第二導電層包括鎢。

8.如權利要求1所述的電感器結構，其中，第二導電層為多層，分別填入于多個位于第二介電層中的平行的溝渠狀開口中。

9.如權利要求1所述的電感器結構，其中，

該半導體基底具有多層內連線結構，而還包括位于第二介電層下方的第三介電層、及第二內連線位于第三介電層中；及

該電感器結構進一步包括第三導電層，位于第三介電層中，于第二導電層下方，以頂部與第二導電層底部連接，具有與該螺旋狀相同的形狀，并包括與該第二內連線相同的材料。

10.如權利要求9所述的電感器結構，其中，

該半導體基底還包括位于第三介電層下方的第四介電層、及至少一介層插塞位于第四介電層中；及

該電感器結構進一步包括第四導電層，填入于位于第四介電層中的溝渠狀開口中，于第三導電層下方，以頂部與第三導電層底部連接，具有與該螺旋狀相同的形狀，并包括與該介層插塞相同的材料。

11.如權利要求10所述的電感器結構，其中，

該半導體基底還包括位于第四介電層下方的第五介電層、及第三內連線位于第五介電層中；及

該電感器結構進一步包括第五導電層，位于第五介電層中，于第四導電層下方，以頂部與第四導電層底部連接，具有與該螺旋狀相同的形狀，并包括與該第三內連線相同的材料。

12.一種電感器結構，位于半導體基底中，該半導體基底包括最上層的內連線位于第一介電層中、第二介電層位于第一介電層的下方、及至少一介層洞位于第二介電層中而填有介層插塞與該最上層的內連線電連接，該電感器結構包括：

第一導電層，填入于位于第一介電層中的溝渠狀開口中，為螺旋狀，并包括與該最上層的內連線相同的材料；及

第二導電層，位于第二介電層中，位于第一導電層下方，以頂部與第一導電層底部連接，具有與該螺旋狀相同的形狀，并包括與該介層插塞相同的材料。

13.如權利要求12所述的電感器結構，其中，第一導電層及第二導電層包括銅，以及，阻障層位于第一導電層與第一介電層之間及第二導電層與第二介電層之間。

14.如權利要求12所述的電感器結構，其中，第一介電層及第二介電層形成為單一的介電層。

15.如權利要求12所述的電感器結構，其中，第一導電層及第二導電層包括鋁。

16.如權利要求12所述的電感器結構，其中，第一導電層包括銅，及第二導電層包括鎢。

17.如權利要求12所述的電感器結構，其中，第一導電層為多層，分別填入于多個位于第一介電層中的平行的溝渠狀開口中。