[發明專利]互補式金屬氧化物半導體圖像傳感器及其制造方法

無效

• 申請號: 200610143596.6
• 申請日: 2006-11-09
• 公開（公告）號: CN101179051A
• 公開（公告）日: 2008-05-14
• 發明（設計）人: 施俊吉
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L27/146
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種互補式金屬氧化物半導體圖像傳感器的制造方法，包括：

提供基底，該基底具有光感測區以及晶體管元件區；

在該晶體管元件區的該基底中形成p型阱區；

在該基底上依序形成介電層以及未摻雜多晶硅層；

形成第一掩模層，以覆蓋住該光感測區與部分該晶體管元件區的該未摻雜多晶硅層；

進行第一離子注入工藝，將n型摻雜劑注入所暴露出的該未摻雜多晶硅層中，以形成n型多晶硅層；

移除該第一掩模層；

形成第二掩模層，覆蓋該n型多晶硅層；

進行第二離子注入工藝，將p型摻雜劑注入所暴露出的該未摻雜多晶硅層中，以形成p型多晶硅層；

移除該第二掩模層；

定義該介電層、該n型多晶硅層與該p型多晶硅層，以于該晶體管元件區的該p型阱區上形成多個n型柵極結構與一p型柵極結構；以及

于該光感測區的該基底中形成光電二極管。

2.如權利要求1所述的互補式金屬氧化物半導體圖像傳感器的制造方法，其中該些n型柵極結構是轉移晶體管、重置晶體管、源極隨耦器晶體管與選擇晶體管其中之三的柵極結構，該p型柵極結構是其中另一的晶體管的柵極結構。

3.如權利要求1所述的互補式金屬氧化物半導體圖像傳感器的制造方法，其中該些n型柵極結構是重置晶體管、源極隨耦器晶體管與選擇晶體管其中之二的柵極結構，該p型柵極結構是其中另一的晶體管的柵極結構。

4.如權利要求1所述的互補式金屬氧化物半導體圖像傳感器的制造方法，其中該n型摻雜劑包括磷或砷。

5.如權利要求1所述的互補式金屬氧化物半導體圖像傳感器的制造方法，其中該n型摻雜劑的劑量介于1×10¹⁴～5×10¹⁵ion/cm²之間。

6.如權利要求1所述的互補式金屬氧化物半導體圖像傳感器的制造方法，其中該p型摻雜劑包括硼或二氟化硼。

7.如權利要求1所述的互補式金屬氧化物半導體圖像傳感器的制造方法，其中該p型摻雜劑的劑量介于1×10¹³～5×10¹⁵ion/cm²之間。

8.如權利要求1所述的互補式金屬氧化物半導體圖像傳感器的制造方法，其中該光電二極管的形成方法包括進行摻雜工藝。

9.一種互補式金屬氧化物半導體圖像傳感器的制造方法，包括：

提供基底，該基底具有光感測區以及晶體管元件區；

在該晶體管元件區的該基底中形成p型阱區；

在該基底上依序形成介電層以及未摻雜多晶硅層；

進行第一離子注入工藝，將n型摻雜劑注入該未摻雜多晶硅層中，以形成n型多晶硅層；

形成掩模層，以暴露出該光感測區與部分該晶體管元件區的該n型多晶硅層；

進行第二離子注入工藝，注入p型摻雜劑，使所暴露出的該n型多晶硅層轉變成p型多晶硅層；

定義該介電層、該n型多晶硅層與該p型多晶硅層，以于該晶體管元件區的該p型阱區上形成多個n型柵極結構與一p型柵極結構；以及

于該光感測區的該基底中形成光電二極管。

10.如權利要求9所述的互補式金屬氧化物半導體圖像傳感器的制造方法，其中該些n型柵極結構是轉移晶體管、重置晶體管、源極隨耦器晶體管與選擇晶體管其中之三的柵極結構，該p型柵極結構是其中另一的晶體管的柵極結構。

11.如權利要求9所述的互補式金屬氧化物半導體圖像傳感器的制造方法，其中該些n型柵極結構是重置晶體管、源極隨耦器晶體管與選擇晶體管其中之二的柵極結構，該p型柵極結構是其中另一的晶體管的柵極結構。

12.如權利要求9所述的互補式金屬氧化物半導體圖像傳感器的制造方法，其中該n型摻雜劑包括磷或砷。

13.如權利要求9所述的互補式金屬氧化物半導體圖像傳感器的制造方法，其中該n型摻雜劑的劑量介于1×10¹⁴～5×10¹⁵ion/cm²之間。

14.如權利要求9所述的互補式金屬氧化物半導體圖像傳感器的制造方法，其中該p型摻雜劑包括硼或二氟化硼。