[發明專利]高耦合比的非揮發性存儲器的制造方法

無效

• 申請號: 200610143396.0
• 申請日: 2006-11-08
• 公開（公告）號: CN101179052A
• 公開（公告）日: 2008-05-14
• 發明（設計）人: 何青原;蕭國坤
• 申請（專利權）人: 力晶半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247;H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種存儲器的制造方法，包括：

提供基底，該基底上已形成有第一介電層與圖案化的掩模層；

移除未被圖案化的該掩模層覆蓋的該第一介電層與該基底，以形成多個隔離溝槽；

各向同性移除部分該掩模層，以曝露出部分該第一介電層；

形成絕緣材料于該些隔離溝槽中，與該掩模層高度相約，形成多個隔離結構；

移除剩余的該掩模層；

移除曝露出的該第一介電層，以曝露出部分該基底；

于曝露出部分的該基底形成第二介電層；

第一導體層形成于該第一及該第二介電層之上；

第二導體層形成于該第一導體層之上，并填滿該些隔離結構間的空隙；

移除部分該些隔離結構，使該些隔離結構與該第一介電層的高度相約；

形成第三介電層于該基底表面；以及

形成第三導體層于該第三介電層之上。

2.如權利要求1所述的存儲器的制造方法，其中移除部分該掩模層的方法包括濕式蝕刻法。

3.如權利要求1所述的存儲器的制造方法，其中形成該絕緣材料于該些隔離溝槽的方法包括高密度等離子體沉積法。

4.如權利要求1所述的存儲器的制造方法，其中移除該第一介電層的方法包括濕式蝕刻法。

5.如權利要求1所述的存儲器的制造方法，其中形成該第二介電層的方法包括化學氣相沉積法或熱氧化法。

6.如權利要求1所述的存儲器的制造方法，其中該第一導體層的材料包括非晶硅。

7.如權利要求1所述的存儲器的制造方法，其中該第二導體層的材料包括多晶硅。

8.如權利要求1所述的存儲器的制造方法，其中該第一導體層的方法包括化學氣相沉積法。

9.如權利要求1所述的存儲器的制造方法，其中該第二導體層的方法包括化學氣相沉積法。

10.如權利要求1所述的存儲器的制造方法，其中該些隔離結構的材料包括氧化硅。

11.如權利要求1所述的存儲器的制造方法，其中移除部分該些隔離結構的方法包括濕式蝕刻法。

12.如權利要求1所述的存儲器的制造方法，其中該第三介電層的材料包括氧化硅。

13.如權利要求1所述的存儲器的制造方法，其中形成該第三介電層的方法包括化學氣相沉積法或熱氧化法。

14.如權利要求1所述的存儲器的制造方法，其中該第三導體層的材料包括摻雜多晶硅。

15.如權利要求1所述的存儲器的制造方法，其中該第三導體層的方法包括化學氣相沉積法。